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半导体装置在层叠半导体基板SB上具备功率晶体管UMOS、n型晶体管NMOS及p型晶体管PMOS，层叠半导体基板SB在n型半导体基板SUB上层叠有n型的漂移层DL、p型的埋入基底层BBL及p型的基底层BL，功率晶体管UMOS具有贯通基底层BL...
该专利属于国立研究开发法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过国立研究开发法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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