晶圆旋转装置、薄膜沉积设备及刻蚀设备制造方法及图纸

本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种晶圆旋转装置、薄膜沉积设备及刻蚀设备，包括基座、两个锥轮组、第一传动带和第一晶圆支撑座，基座与第一锥轮组同轴设置，基座和第一锥轮组之间具有相对转动，第二锥轮组可转动地设置在基座上，第一传动带设置在两个锥轮相对的锥面之间并连接第一锥轮组和第二锥轮组，第一晶圆支撑座设置在第二锥轮组一侧并跟随第二锥轮组转动。至少两个锥轮组之一的两个锥轮之间间距能够调节，使两个锥轮组之间能够实现无级变速传动。与通过齿轮传动的方案相比，采用无级变速传动，可满足精细控制晶圆自转转速的要求，进而可改善晶圆上不同位置的膜层沉积厚度不均匀或刻蚀不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体制造设备，具体涉及一种晶圆旋转装置、薄膜沉积设备及刻蚀设备。

技术介绍

1、薄膜沉积设备沉积薄膜时，多片晶圆放置在反应室内的基座上进行沉积。为了保证晶圆上不同位置的膜层厚度均匀，需要驱动晶圆自转或在驱动基座旋转的同时驱动晶圆自转。例如，原子层沉积(atomic layer deposition，ald)及空间隔离原子沉积(spatialatomic layer deposition，sald)设备沉积薄膜时，基座旋转产生的离心力以及真空泵的抽气作用，使得反应气体趋向于在反应室边缘处汇聚，导致晶圆上不同位置的膜层厚度不均匀。

2、薄膜沉积工艺中，在驱动基座旋转的同时驱动晶圆自转，可改善晶圆上不同位置的膜层厚度不均匀的问题。刻蚀工艺中，当刻蚀工艺条件，例如刻蚀剂、能量、温度等不是完全均匀分布的情况下，使得晶圆公转和/或自转同样可以提高同一晶圆表面上的刻蚀均匀性。

3、现有的薄膜沉积设备或刻蚀设备，其通过电机和齿轮驱动晶圆自转。晶圆自转的转速对膜层厚度均匀性有显著的影响，因此需要速度区间内任意一点的速度都能达到。采用齿轮传本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆旋转装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述晶圆旋转装置包括第一驱动器，所述第一驱动器驱动所述基座转动，所述第一锥轮组相对于所述第一驱动器静止；或

3.根据权利要求2所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述第一锥轮组的两个锥轮之间间距以及所述第二锥轮组的两个锥轮之间间距均能够调节。

4.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述晶圆旋转装置包括第一驱动器，所述第一驱动器驱动所述基座转动，所述第一锥轮组相对于所述第一驱动器静止；

5.根据权利要求4所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆旋转装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述晶圆旋转装置包括第一驱动器，所述第一驱动器驱动所述基座转动，所述第一锥轮组相对于所述第一驱动器静止；或

3.根据权利要求2所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述第一锥轮组的两个锥轮之间间距以及所述第二锥轮组的两个锥轮之间间距均能够调节。

4.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述晶圆旋转装置包括第一驱动器，所述第一驱动器驱动所述基座转动，所述第一锥轮组相对于所述第一驱动器静止；

5.根据权利要求4所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述第一支撑件和所述第二支撑件均为活动件，所述第一支撑件和所述第二支撑件相互靠近或相互远离，驱动所述第一锥轮和所述第二锥轮相互靠近或相互远离，所述第一支撑件和所述第二支撑件相互靠近或相互远离的行程及速度相等。

6.根据权利要求4所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述第一支撑件包括控制套筒，所述第二支撑件包括支撑杆，所述第一锥轮和所述控制套筒均可滑动地套设在所述支撑杆上，所述控制套筒设置在所述第一锥轮远离所述第二锥轮一侧。

7.根据权利要求3所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述晶圆旋转装置还包括第一变速机构和第二变速机构，所述第一变速机构驱动所述第一锥轮组的两个锥轮相互远离或靠近，所述第二变速机构驱动所述第二锥轮组的两个锥轮相互远离或靠近。

8.根据权利要求3所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述第一锥轮组的两个锥轮为第一锥轮和第二锥轮，所述第二锥轮组的两个锥轮为第三锥轮和第四锥轮，至少所述第一锥轮和所述第三锥轮为活动锥轮，所述晶圆旋转装置还包括第一变速机构和杠杆机构，所述第一变速机构至少驱动所述第一锥轮运动，使所述第一锥轮组的两个锥轮相互远离或靠近，所述杠杆机构包括杠杆，至少所述第一锥轮和所述第三锥轮通过所述杠杆连接，所述第一锥轮和所述第三锥轮运动方向相反。

9.根据权利要求1所述的晶圆旋转装置，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彭，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：