【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及测量领域，具体涉及一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置及方法。
技术介绍
1、电子束流不均匀度是电子帘加速器的重要指标。常见的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置通常将电子束流引出辐照窗外进行测量。在测量和调试过程中，由于电子枪和其他部件结构调整的需要，通常需要多次打开真空室进行操作。反复、多次地打开真空室操作并对空间内抽真空，或者调试中的其他不当操作，容易导致辐照窗上的钛箔形变甚至破损。
技术实现思路
1、为解决现有技术存在的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量过程中辐照窗易损易坏，测量周期长的技术问题，本专利技术的第一方面提供了一种用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，包括：
2、盖板；
3、至少两个收集靶，所述至少两个收集靶用于采集所述电子帘加速器的阴极发散的电子束流；
4、电连接件，所述电连接件贯通所述盖板；所述电连接件用于将所述至少两个收集靶采集的所述电子帘加速器的阴极发散的电子束流传输至电流采样装置；
5、电流采样装置，所述电流采样装置用于测量经所述电连接件传输的表征所述收集靶采集的所述电子束流的电信号，并根据所述至少两个收集靶采集的所述电子束流的电信号确定所述电子帘加速器电子束流不均匀度；
6、所述至少两个收集靶位于所述电子帘加速器的屏蔽壁与所述盖板构成的真空结构内部；所述电流采样装置位于所述电子帘加速器的屏蔽壁与所述盖板构成的真空结构外部。
7、在一些实施例中，所述电连
8、在一些实施例中，所述阴极的数量为一个或多个；
9、所述阴极为：点发散电子束流的阴极，或，线发散电子束流的阴极；
10、当所述阴极为线发散电子束流的阴极时，所述收集靶的数量大于所述阴极的数量。
11、在一些实施例中，所述收集靶覆盖所述阴极发散的所述电子束流经过路径的边界范围。
12、在一些实施例中，所述收集靶的数量根据所述电子帘加速器电子束流不均匀度要求的允许范围确定，所述收集靶的数量不限定于与所述阴极的数量一致。
13、在一些实施例中，所述收集靶包括：
14、靶片；
15、连接柱；所述连接柱卡接固定于所述盖板，用于提供所述靶片与所述盖板之间的间隙空间；
16、固定件；所述固定件用于将所述靶片固定至所述连接柱。
17、在一些实施例中，所述收集靶还包括连接片；所述连接片被所述固定件固定于间隔在所述靶片于所述连接柱之间；所述连接片用于通过连接线连接所述靶片与所述电连接件，将表征所述靶片收集的所述电子束流的电信号传输至所述电连接件。
18、在一些实施例中，所述屏蔽壁为至少环绕五面的立方体框架，或圆形框架，或椭圆形框架；所述屏蔽壁在不与所述盖板连接的位置与地连接。
19、在一些实施例中，所述收集靶位于所述电子束流的宽度方向或所述电子束流的厚度方向；所述收集靶包括钼。
20、本专利技术第二方面提供一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量方法，采用上述任一所述的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，包括：
21、构建由电子帘加速器的屏蔽壁与盖板构成的真空结构内的真空环境；
22、引出所述电子帘加速器的电子束流；
23、根据所述至少两个收集靶的电信号确定所述电子帘加速器引出的电子束流不均匀度。
24、本专利技术通过设置可替换盖板代替电子帘加速器中的辐照窗，并将收集靶内置在真空结构内，避免辐照窗的更换导致的钛箔形变破损，缩短测试周期，提升测量过程的安全性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述电连接件包括至少与所述收集靶数量相等数量的电连接通道，每个所述收集靶连接不同的电连接通道；所述电流采样装置至少包括与所述收集靶数量相等数量的电流采样模块，每个连接所述收集靶的所述电连接通道连接不同的电流采样模块。
3.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述阴极的数量为一个或多个；
4.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶覆盖所述阴极发散的所述电子束流经过路径的边界范围。
5.根据权利要求4所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶的数量根据所述电子帘加速器电子束流不均匀度要求的允许范围确定，所述收集靶的数量不限定于与所述阴极的数量一致。
6.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶包括：
7
8.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述屏蔽壁为至少环绕五面的立方体框架，或圆形框架，或椭圆形框架；所述屏蔽壁在不与所述盖板连接的位置与地连接。
9.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶位于所述电子束流的宽度方向或所述电子束流的厚度方向；所述收集靶包括钼。
10.一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量方法，采用如权利要求1-9任一所述的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述电连接件包括至少与所述收集靶数量相等数量的电连接通道，每个所述收集靶连接不同的电连接通道；所述电流采样装置至少包括与所述收集靶数量相等数量的电流采样模块，每个连接所述收集靶的所述电连接通道连接不同的电流采样模块。
3.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述阴极的数量为一个或多个；
4.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶覆盖所述阴极发散的所述电子束流经过路径的边界范围。
5.根据权利要求4所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶的数量根据所述电子帘加速器电子束流不均匀度要求的允许范围确定，所述收集靶的数量不限定于与所述阴极的数量一致。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈岩，江海，尹政，李学先，王非，侯静，刘赞，徐赞京，吴晓洁，
申请(专利权)人：北京机械工业自动化研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。