【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。
技术介绍
1、显示装置可以包括多个像素，并且显示装置制造工艺包括生产多个像素。
2、近来，已经研究了使用用于将含有发光材料的油墨注入到像素开口中的喷墨方案的像素制造工艺。
技术实现思路
1、本公开可以提供一种具有改善的显示质量的显示装置。
2、本公开可以提供一种制造所述显示装置的方法。
3、一种显示装置的实施例包括：基底；像素电极，布置在所述基底上；牺牲层，布置在所述像素电极上，以便当在平面图上观察时所述牺牲层与所述像素电极的外部边界相邻；像素限定层，布置在所述基底上，与所述牺牲层的整个顶表面直接接触，并且限定暴露所述像素电极的一部分的像素开口；导电层，覆盖所述像素限定层的限定所述像素开口的侧表面；发光材料，在所述像素开口内布置在所述像素电极上；以及公共电极，包括覆盖所述发光材料的在所述像素开口中的顶表面的第一公共电极和覆盖所述像素限定层的顶表面的第二公共电极。
4、在实施例中，所述像素限定层和所述像素电极的与所述牺牲层相邻的部分之间的空间可以被限定为底切空间，并且所述导电层可以与所述像素电极间隔开。
5、在实施例中，所述发光材料可以填充了所述底切空间，并且所述发光材料可以布置在所述导电层和所述像素电极之间。
6、在实施例中，所述第一公共电极和所述第二公共电极中的每一者可以与所述导电层直接接触。
7、在实施例中，所述牺牲层可以与所述导电层间隔开。p>
8、在实施例中，所述像素限定层的所述侧表面可以相对于所述像素电极的顶表面具有反向锥形形状。
9、在实施例中，所述导电层可以进一步从所述像素限定层的所述侧表面延伸到所述像素限定层的与所述像素限定层的所述侧表面相邻的所述顶表面。
10、在实施例中，所述第二公共电极可以进一步覆盖布置在所述像素限定层的所述顶表面上的所述导电层。
11、在实施例中，所述显示装置还可以包括：保护图案，布置在所述像素限定层的所述顶表面上。
12、在实施例中，所述保护图案可以与所述导电层包括相同的材料。
13、在实施例中，所述第二公共电极可以进一步覆盖所述保护图案。
14、一种制造显示装置的方法的实施例包括如下步骤：在基底上形成像素电极；在所述像素电极上形成初步牺牲层，以覆盖所述像素电极的顶表面；在所述基底上方形成像素限定层，所述像素限定层包括限定像素开口的侧表面，所述像素开口暴露所述初步牺牲层的顶表面的一部分；形成覆盖所述像素限定层的所述侧表面的导电层；通过去除所述初步牺牲层的一部分，形成布置在所述像素电极上的牺牲层，以便当在平面图中观察时所述牺牲层与所述像素电极的外部边界相邻；在所述像素开口内形成发光材料；以及形成公共电极，所述公共电极包括覆盖所述发光材料的在所述像素开口中的顶表面的第一公共电极和覆盖所述像素限定层的顶表面的第二公共电极。
15、在实施例中，所述发光材料的所述形成可以包括通过使用用于将包含所述发光材料的油墨排放到所述像素开口中的喷墨方案来形成所述发光材料。
16、在实施例中，所述像素限定层对于所述油墨可以具有疏墨特性，并且所述导电层对于所述油墨可以具有亲墨特性。
17、在实施例中，所述导电层的所述形成可以包括：形成初步导电层，所述初步导电层覆盖所述像素限定层的所述顶表面、所述像素限定层的所述侧表面以及所述初步牺牲层的所述顶表面的由所述像素开口暴露的所述部分；以及通过使用各向异性的干蚀刻方案去除覆盖所述像素限定层的所述顶表面和所述初步牺牲层的所述顶表面的由所述像素开口暴露的所述部分的所述初步导电层。
18、在实施例中，所述导电层的所述形成可以包括：在所述初步导电层上形成光致抗蚀剂材料以覆盖所述初步导电层；以及通过去除所述光致抗蚀剂材料的一部分，形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案布置在所述像素限定层的所述顶表面的与所述像素限定层的所述侧表面相邻的部分上。
19、在实施例中，所述光致抗蚀剂图案可以进一步形成在所述像素限定层的所述顶表面的与所述像素限定层的所述侧表面间隔开的其它部分上。
20、在实施例中，所述初步牺牲层的所述一部分的所述去除可以包括：通过使用蚀刻液的湿蚀刻方案去除所述初步牺牲层的所述一部分。
21、在实施例中，所述初步牺牲层对于所述蚀刻液的蚀刻速率可以大于所述像素电极对于所述蚀刻液的蚀刻速率，并且大于所述导电层对于所述蚀刻液的蚀刻速率。
22、在实施例中，所述初步牺牲层的所述一部分的所述去除还可以包括：形成底切空间，所述像素限定层和所述像素电极的与所述牺牲层相邻的部分之间的空间被限定为所述底切空间，其中，所述发光材料可以形成为填充所述底切空间。
23、根据本公开的实施例的制造所述显示装置的所述方法可以包括如下步骤：在所述像素电极上形成初步牺牲层；形成包括限定像素开口的侧表面的像素限定层；以及通过去除所述初步牺牲层的一部分形成牺牲层。因此，即使当形成像素限定层时形成了残留的有机绝缘材料，残留的所述有机绝缘材料也可以形成在所述初步牺牲层上，并且当所述初步牺牲层的所述一部分被去除时，残留的所述有机绝缘材料可以同时被去除。因此，可以防止所述显示装置中由于所述像素开口中的残留材料而导致的缺陷。
24、另外，根据本公开的实施例的制造所述显示装置的所述方法可以包括：形成覆盖所述像素限定层的所述侧表面的导电层。当所述发光材料在所述像素开口中形成时，所述导电层可以防止所述发光材料从所述像素开口中溢出。因此，可以防止所述显示装置中由于所述发光材料的所述溢出而导致的缺陷。
25、然而，根据本公开的效果不限于上述的效果，并且可以在不脱离本公开的思想和范围的情况下进行各种扩展。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层和所述像素电极的与所述牺牲层相邻的部分之间的空间被限定为底切空间，并且所述导电层与所述像素电极间隔开。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光材料填充所述底切空间，并且所述发光材料布置在所述导电层和所述像素电极之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一公共电极和所述第二公共电极中的每一者与所述导电层直接接触。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述牺牲层与所述导电层间隔开。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述侧表面相对于所述像素电极的顶表面具有反向锥形形状。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层进一步从所述像素限定层的所述侧表面延伸到所述像素限定层的与所述像素限定层的所述侧表面相邻的所述顶表面，其中，
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二公共电极进
10.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层和所述像素电极的与所述牺牲层相邻的部分之间的空间被限定为底切空间，并且所述导电层与所述像素电极间隔开。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光材料填充所述底切空间，并且所述发光材料布置在所述导电层和所述像素电极之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一公共电极和所述第二公共电极中的每一者与所述导电层直接接触。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述牺牲层与所述导...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪泌荀，金俊基，金惠善，尹相铉，车光民，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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