用于制造功率半导体器件的夹持元件和方法技术

指定了一种夹持元件(9)，被配置成按压到包括模制件(4)的至少一个功率半导体模块(1)的底板(2)，该夹持元件包括：‑至少一个接触区域(10)，被配置成直接接触底板(2)的至少一个夹持区域(7)，所述至少一个夹持区域没有模制件(4)，以及‑至少一个凹部(11)，设置在底板中，其中，‑凹部(11)和接触区域(10)被配置成面向底板。进一步地，指定了一种用于制造功率半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的实施例涉及一种夹持元件，通过该夹持元件改进了功率半导体模块的安装。本公开的进一步实施例涉及一种用于制造功率半导体器件的方法。

技术介绍

技术实现思路

1、这通过独立权利要求的主题来实现。进一步实施例从从属权利要求和以下描述中是显而易见的。

2、本专利技术的第一方面涉及一种夹持元件，该夹持元件被配置成按压到包括模制件(mold)的至少一个功率半导体模块的底板。

3、术语“功率”在此和在下文中例如指代适于处理大于100v和/或大于10a的电压和电流的功率半导体模块、功率半导体器件和/或半导体芯片。

4、功率半导体模块例如包括主延伸平面。侧向方向平行于主延伸平面对准，并且竖直方向垂直于主延伸平面对准。

5、示例性地，功率半导体模块包括至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片例如基于硅或碳化硅。所述至少一个半导体芯片是例如绝缘栅双极晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管。所述至少一个半导体芯片例如形成为二极管和/或开关。替代性地，所述至少一个半导体芯片是分立或无源器件。...

【技术保护点】

1.一种夹持元件(9)，被配置成按压到包括模制件(4)的至少一个功率半导体模块(1)的底板(2)，所述夹持元件包括：

2.根据权利要求1所述的夹持元件(9)，其中，

3.根据权利要求1至2中任一项所述的夹持元件(9)，其中，至少一个接触区域(10)小于至少一个夹持区域(7)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的夹持元件(9)，其中，至少一个接触区域(10)的表面包括粗化部。

5.根据权利要求4所述的夹持元件(9)，其中，所述粗化部包括以规则或非规则方式提供的突起(18)。

6.根据权利要求5所述的夹持元件(9)，其中，所述突起...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种夹持元件(9)，被配置成按压到包括模制件(4)的至少一个功率半导体模块(1)的底板(2)，所述夹持元件包括：

2.根据权利要求1所述的夹持元件(9)，其中，

3.根据权利要求1至2中任一项所述的夹持元件(9)，其中，至少一个接触区域(10)小于至少一个夹持区域(7)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的夹持元件(9)，其中，至少一个接触区域(10)的表面包括粗化部。

5.根据权利要求4所述的夹持元件(9)，其中，所述粗化部包括以规则或非规则方式提供的突起(18)。

6.根据权利要求5所述的夹持元件(9)，其中，所述突起(18)具有圆形、圆锥形、立方体或棱锥体形状。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的夹持元件(9)，其中，至少一个凹部(11)具有圆形、矩形、三角形或梯...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·桑托拉里亚，D·特拉塞尔，H·拜尔，
申请(专利权)人：日立能源有限公司，
类型：发明
国别省市：