【技术实现步骤摘要】
本技术涉及真空灭弧室领域，具体涉及一种真空灭弧室的触头组件以及具有该触头组件的真空灭弧室。
技术介绍
1、真空灭弧室橫磁开断技术目前已广泛应用于各类断路器内，搭载其触头结构的产品具有体积小，开断能力强的特点，面对激烈的市场竞争，橫磁开断技术的应用推广已经是大势所趋，但橫磁触头有着其较为明显的缺陷，橫磁电弧都为聚集型电弧，触头表面烧蚀更加严重，甩弧更加剧烈，产品多次开端后产品内部金属蒸汽会严重污染瓷壳内壁，造成产品内部绝缘能力下降，产品绝缘失效。
2、现有技术中也出现了增设屏蔽板的方式，但屏蔽板均是通过钎焊固定在导电杆上，如此，需要增设钎焊步骤，且精度不好控制。
技术实现思路
1、为此，本技术为改善上述问题，提供一种真空灭弧室的触头组件以及具有该触头组件的真空灭弧室。
2、为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：
3、一种真空灭弧室的触头组件，包括导电杆、屏蔽板和触头；所述屏蔽板包括中心套筒以及连接于中心套筒的第一端端口并径向向外延伸的平板本体；所述导电杆具有用于伸入真空灭弧室的绝缘壳体内的内端部，所述导电杆的外周形成有台阶缺口，所述触头固定于所述导电杆的内端部并与台阶缺口构成一限位凹槽，所述屏蔽板的中心套筒套接于导电杆的台阶缺口上并被限制在所述限位凹槽内，且中心套筒的第二端朝向所述触头设置，而使得平板本体与所述触头呈一定间隙。
4、进一步的，所述导电杆的内端部具有接触面以及凸出于接触面设置的连接凸部；所述触头具有连接孔，所述导电杆的
5、进一步的，所述导电杆与触头之间通过钎焊固定。
6、进一步的，所述屏蔽板的中心套筒和平板本体为一体连接结构。
7、进一步的，所述中心套筒与平板本体之间通过圆弧形的弯曲部过渡连接。
8、进一步的，所述屏蔽板的外径尺寸与所述触头等大或略小于所述触头。
9、一种真空灭弧室，包括绝缘壳体以及装配在绝缘壳体上并相对设置的动触头组件和静触头组件，所述动触头组件和静触头组件的结构均为上述所述的真空灭弧室的触头组件。
10、通过本技术提供的技术方案，具有如下有益效果：
11、1.屏蔽板装配在导电杆的台阶缺口上并被限制在由台阶缺口与触头构成的所述限位凹槽内，无需钎焊，直接通过装配固定，保证了使用的稳定性，且简化了装配。
12、2.中心套筒的第二端朝向所述触头设置，而使得平板本体与所述触头呈一定间隙，形成金属蒸汽的飞溅空间，以屏蔽电弧蒸散，避免触头与屏蔽板粘接，影响电流走向。该屏蔽结构可有效减少产品短路开断后金属蒸散，提升产品短路开断后的绝缘水平。
13、3.平板本体与所述触头的间隙大小取决于中心套筒的轴向尺寸，易于控制。
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1.一种真空灭弧室的触头组件，包括导电杆、屏蔽板和触头；其特征在于：所述屏蔽板包括中心套筒以及连接于中心套筒的第一端端口并径向向外延伸的平板本体；所述导电杆具有用于伸入真空灭弧室的绝缘壳体内的内端部，所述导电杆的外周形成有台阶缺口，所述触头固定于所述导电杆的内端部并与台阶缺口构成一限位凹槽，所述屏蔽板的中心套筒套接于导电杆的台阶缺口上并被限制在所述限位凹槽内，且中心套筒的第二端朝向所述触头设置，而使得平板本体与所述触头呈一定间隙。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室的触头组件，其特征在于：所述导电杆的内端部具有接触面以及凸出于接触面设置的连接凸部；所述触头具有连接孔，所述导电杆的连接凸部插设于触头的连接孔内，所述接触面与触头相接触。
3.根据权利要求1或2所述的真空灭弧室的触头组件，其特征在于：所述导电杆与触头之间通过钎焊固定。
4.根据权利要求1所述的真空灭弧室的触头组件，其特征在于：所述屏蔽板的中心套筒和平板本体为一体连接结构。
5.根据权利要求4所述的真空灭弧室的触头组件，其特征在于：所述中心套筒与平板本体之间通过圆弧形的弯曲
6.根据权利要求1所述的真空灭弧室的触头组件，其特征在于：所述屏蔽板的外径尺寸与所述触头等大或略小于所述触头。
7.一种真空灭弧室，包括绝缘壳体以及装配在绝缘壳体上并相对设置的动触头组件和静触头组件，其特征在于：所述动触头组件和静触头组件的结构均为权利要求1至6任一所述的真空灭弧室的触头组件。
...【技术特征摘要】
1.一种真空灭弧室的触头组件，包括导电杆、屏蔽板和触头；其特征在于：所述屏蔽板包括中心套筒以及连接于中心套筒的第一端端口并径向向外延伸的平板本体；所述导电杆具有用于伸入真空灭弧室的绝缘壳体内的内端部，所述导电杆的外周形成有台阶缺口，所述触头固定于所述导电杆的内端部并与台阶缺口构成一限位凹槽，所述屏蔽板的中心套筒套接于导电杆的台阶缺口上并被限制在所述限位凹槽内，且中心套筒的第二端朝向所述触头设置，而使得平板本体与所述触头呈一定间隙。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室的触头组件，其特征在于：所述导电杆的内端部具有接触面以及凸出于接触面设置的连接凸部；所述触头具有连接孔，所述导电杆的连接凸部插设于触头的连接孔内，所述接触面与触头相接触。
【专利技术属性】
技术研发人员：胡国星，何跃，陈柏良，张腾飞，叶小亮，熊振鹏，
申请(专利权)人：厦门宏发电力电器有限公司，
类型：新型
国别省市：
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