一种氟硅离型膜及其制备方法技术

一种氟硅离型膜，所述离型膜包括基膜层、涂布在所述基膜层两侧的底涂层和涂布在所述底涂层一侧的氟硅改性离型层，所述氟硅改性离型层由氟硅改性离型剂涂布液涂布制备而成，所述氟硅改性离型剂涂布液包括100份溶剂、1～5份氟硅改性主剂、0.01～0.1份交联剂、0～1份控制剂以及0.01～0.2份铂类催化剂，所述氟硅改性主剂的结构为：其中，R1～R5为甲基或者苯基，n、m均为大于等于10小于等于100的整数；所述交联剂的结构为：其中，R6～R9为甲基或者苯基，s、t均为大于等于10小于等于100的整数。本发明专利技术通过配方的设计和与基膜的适配，以及易实现的热固化条件，使得离型膜具有可调的离型力大小、低的硅转移、高的残余接着率以及低的表面粗糙度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氟硅离型膜及其制备方法，属于离型膜。

技术介绍

1、离型剂一般用于涂覆于基材表面，基材通常为纸或者薄膜，在隔离粘性物质领域应用广泛，尤其是在电子行业。离型剂又分为溶剂型、乳液型以及无溶剂型。溶剂型离型剂是目前普遍采用的一种，然而现有的技术缺陷在于：1.产品残余粘着率低；2.溶剂沸点不易挥发；3.设备生产成本高。如何得到表观质量稳定、离型力可调、残余接着率高的离型膜成为研发团队的探索方向。

2、随着科学技术的发展，人们对于电子领域用的薄膜的要求更加严格，尤其是片式多层陶瓷电容器(mlcc)在流延过程中使用到的离型膜，需要其具有高的平整度和低的硅转移量。片式多层陶瓷电容器是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。mlcc用离型膜在未来的发展中应用面会更加广阔，需求也会更大。

3、虽然现有的离型剂组合的剥离性能良好，但是其稳定性和锚固性较差。专利202210281445.6通过紫外光固化制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氟硅离型膜，其特征在于：所述离型膜包括基膜层、涂布在所述基膜层两侧的底涂层和涂布在所述底涂层一侧的氟硅改性离型层，所述氟硅改性离型层由氟硅改性离型剂涂布液涂布制备而成，所述氟硅改性离型剂涂布液包括100份溶剂、1～5份氟硅改性主剂、0.01～0.1份交联剂、0～1份控制剂以及0.01～0.2份铂类催化剂，所述氟硅改性主剂的结构为：

2.根据权利要求1所述的氟硅离型膜，其特征在于：所述控制剂可分为重剥离控制剂和轻剥离控制剂。

3.根据权利要求2所述的氟硅离型膜，其特征在于：所述重剥离控制剂为乙烯基MQ硅树脂，轻剥离助剂为小分子苯基聚硅氧烷。

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【技术特征摘要】

1.一种氟硅离型膜，其特征在于：所述离型膜包括基膜层、涂布在所述基膜层两侧的底涂层和涂布在所述底涂层一侧的氟硅改性离型层，所述氟硅改性离型层由氟硅改性离型剂涂布液涂布制备而成，所述氟硅改性离型剂涂布液包括100份溶剂、1～5份氟硅改性主剂、0.01～0.1份交联剂、0～1份控制剂以及0.01～0.2份铂类催化剂，所述氟硅改性主剂的结构为：

2.根据权利要求1所述的氟硅离型膜，其特征在于：所述控制剂可分为重剥离控制剂和轻剥离控制剂。

3.根据权利要求2所述的氟硅离型膜，其特征在于：所述重剥离控制剂为乙烯基mq硅树脂，轻剥离助剂为小分子苯基聚硅氧烷。

4.根据权利要求1所述的氟硅离型膜，其特征在于：所述铂类催化剂为氯铂酸-一二乙烯基四甲基二硅氧烷，氯铂酸-异丙醇、氯铂酸-邻苯二甲酸二乙酯中的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞晓，陈众联，黄永华，刘玉磊，李超，赵保良，周然，周迪，
申请(专利权)人：合肥乐凯科技产业有限公司，
类型：发明
国别省市：