【技术实现步骤摘要】
本公开涉及针对高电压半导体的自动化抗偏斜系统和方法。
技术介绍
1、在功率电子器件中使用的半导体材料从硅过渡到宽带隙(wbg)半导体，诸如碳化硅(sic)和氮化镓(gan)。材料中的该改变由于wbg半导体在较高功率级别处的优越性能所致，该优越性能增加了它们针对汽车和工业应用的采用。测量金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)或绝缘栅双极晶体管(igbt)的开关参数普遍是使用双脉冲测试(dpt)方法来执行的。在该方法中，在电感钳位电路中在分离的时间处在设备的栅极上应用两个脉冲。双脉冲测试是利用有源电流和差分电压探测器执行的。每个探测器具有对电流和电压的同时获取中的变化延迟作出贡献的其自身的特性传播延迟。在并发获取期间探测器的集合之间的该延迟被称作时间“偏斜”。重要的是，应当在被称作对探测器进行“抗偏斜”的过程中的测试之前补偿探测器之间的该延迟，以消除或最小化探测器之间的任何时间未对准。否则，定时偏斜可能导致不精确测量和基于这种不精确测量的计算。
2、对wbg测试来说特定的一个问题是：传统抗偏斜方法已经限制对于测试wbg材料...
【技术保护点】
1.一种用于确定两个测量探测器之间的时间偏斜量的系统，所述系统包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
5.根据权利要求4所述的系统，其中系统重复修改所述参数，使用经修改的参数来生成新的所建模的电压信号，并将所述新的所建模的电压信号与所测量的电压信号进行比较，直到所述新的所建模的电压信号与所测量的电压信号之间的差处于偏斜阈值量以下。
<...【技术特征摘要】
1.一种用于确定两个测量探测器之间的时间偏斜量的系统，所述系统包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
5.根据权利要求4所述的系统，其中系统重复修改所述参数，使用经修改的参数来生成新的所建模的电压信号，并将所述新的所建模的电压信号与所测量的电压信号进行比较，直到所述新的所建模的电压信号与所测量的电压信号之间的差处于偏斜阈值量以下。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：基于所述垂直距离来确定dut测量电路中的有效电感量。
8.根据权利要求7所述的系统，其中确定所述有效电感量是迭代地确定的。
9.根据权利要求6所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：基于所述垂直距离来迭代地确定所述dut的偏斜率量。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
11.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个处理器进一步被配置成：
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一探测器或所述第二探测器包括从分路电阻器探测器、霍尔效应探测器和罗哥夫斯基线圈探测器的组中选择的探测器。
13.根据权利要求1所述的系统，其中所述dut是由sic、gan、gan-...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·希瓦拉姆，N·R·赫格德，S·布，K·N·H·斯里，Y·M·派，V·梅利纳曼，
申请(专利权)人：特克特朗尼克公司，
类型：发明
国别省市：
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