【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的加工技术，尤其涉及一种薄膜检测方法、一种薄膜检测系统，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、薄膜残余应力是半导体器件薄膜制备过程中的普遍现象，其一方面由热膨胀系数不同的薄膜与基底材料在制备薄膜的加热和冷却过程中产生，另一方面由薄膜生长过程中的非平衡性及薄膜特有的微观结构引起。薄膜残余应力与薄膜及基底的材料、薄膜的制备方法和工艺过程密切相关。
2、薄膜残余应力对薄膜的结构与性能有较大影响，因此需要在薄膜制备过程中控制和检测薄膜的残余应力。这对控制薄膜制备的工艺参数以及成品率有重要意义，也是进行产品质量检查及改进制造工艺的有效手段。然而，现有的薄膜检测方法只能基于基片弯曲法，对薄膜中心区域的表面进行一维的线性采样，并计算该中心线上的应力分布，而无法捕捉其余区域薄膜翘曲的局部形貌，因此不适用于局部应力突变现象的检测。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的薄膜检测方法，用于定点检测薄膜各位置的局部薄膜残余应力，从而提升薄膜检测的灵活性、可靠性及检测精度。
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【技术保护点】
1.一种薄膜检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的薄膜检测方法，其特征在于，获取所述基底弹性模量和/或所述基底泊松比的步骤包括：根据所述待测样本的基底材料，确定所述基底弹性模量和/或所述基底泊松比，和/或
3.如权利要求2所述的薄膜检测方法，其特征在于，所述经由自动对焦系统扫描镀膜前的待测样本，以确定所述待测样本的基底厚度的步骤包括：
4.如权利要求2所述的薄膜检测方法，其特征在于，所述经由椭偏量测系统扫描镀膜后的待测样本，以确定所述待测样本表面的薄膜厚度的步骤包括：
5.如权利要求1所述的薄膜检测...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的薄膜检测方法，其特征在于，获取所述基底弹性模量和/或所述基底泊松比的步骤包括：根据所述待测样本的基底材料，确定所述基底弹性模量和/或所述基底泊松比，和/或
3.如权利要求2所述的薄膜检测方法，其特征在于，所述经由自动对焦系统扫描镀膜前的待测样本，以确定所述待测样本的基底厚度的步骤包括：
4.如权利要求2所述的薄膜检测方法，其特征在于，所述经由椭偏量测系统扫描镀膜后的待测样本，以确定所述待测样本表面的薄膜厚度的步骤包括：
5.如权利要求1所述的薄膜检测方法，其特征在于，获取所述沿x方向和y方向的第一曲率半径和/或所述沿x方向和y方向的第二曲率半径的步骤包括：
6.如权利要求5所述的薄膜检测方法，其特征在于，获取所述沿x方向和y方向的第一曲率半径的步骤包括：
7.如权利要求5所述的薄膜检测方法，其特征在于，获取所述沿x方向和y方向的第二曲率半径的步骤包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄源，杨峰，
申请(专利权)人：睿励科学仪器上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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