【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mems传感器领域，特别涉及一种单片集成二维标矢量复合声敏感芯片。
技术介绍
1、标矢量复合声传感器不仅可以测量声压，还可以测量声场中的声压梯度、速度、加速度等矢量信息，可以更全面的反映声场的实际情况，用单个标矢量复合声传感器或较小的阵列就可实现声源目标探测与定位。当前使用的麦克风芯片为标量麦克风芯片，研究矢量麦克风芯片并实现与标量芯片的单片集成具有重要意义。
2、专利技术专利1《一种mems麦克风芯片》（申请号cn202211430874.1）公开的一种mems麦克风芯片为一种标量振膜结构，主要包括振膜、衬底和背板组成。衬底上具有贯穿其两端的声道孔，振膜包括主体和至少三个膜连接部，背板设置于振膜远离衬底的一侧，背板和膜主体相对设置且间隔有空腔。
3、专利技术专利2《mems麦克风芯片》公开的mems麦克风芯片包括具有背腔的基底以设置于基底上的电容系统，电容系统包括相对间隔形成腔体的背板及振膜，振膜位于背板远离基底的一侧，通（申请号cn202111401107.3）过设置支撑振膜的支撑柱，提高了振膜...
【技术保护点】
1.一种单片集成二维标矢量复合声敏感芯片，其特征在于，包括一个标量声学信号测量单元、两个指向性声学信号测量单元和一个芯片衬底电势连接单元；两个指向性声学信号测量单元正交分布，标量声信号测量单元设置在两个指向性声信号测量单元的长边形成的正方形区域内，芯片衬底电势连接单元设置在两个指向性声信号测量单元的宽边形成的正方形区域内，与标量声信号测量单元成对角分布。
2.根据权利要求1所述的单片集成二维标矢量复合声敏感芯片，其特征在于，所述单片集成二维矢量声敏感芯片从上到下依次为敏感结构层、下电极层、氧化层和衬底层，所述标量声信号测量单元、指向性声信号测量单元和芯片衬...
【技术特征摘要】
1.一种单片集成二维标矢量复合声敏感芯片，其特征在于，包括一个标量声学信号测量单元、两个指向性声学信号测量单元和一个芯片衬底电势连接单元；两个指向性声学信号测量单元正交分布，标量声信号测量单元设置在两个指向性声信号测量单元的长边形成的正方形区域内，芯片衬底电势连接单元设置在两个指向性声信号测量单元的宽边形成的正方形区域内，与标量声信号测量单元成对角分布。
2.根据权利要求1所述的单片集成二维标矢量复合声敏感芯片，其特征在于，所述单片集成二维矢量声敏感芯片从上到下依次为敏感结构层、下电极层、氧化层和衬底层，所述标量声信号测量单元、指向性声信号测量单元和芯片衬底电势连接单元的敏感结构层和下电极层之间设置单元隔离槽，共用氧化层和衬底层。
3.根据权利要求2所述的单片集成二维标矢量复合声敏感芯片，其特征在于，所述敏感结构层、下电极层和衬底层均为低电阻率的硅，敏感结构层同时作为电容器的上电极。
4.根据权利要求3所述的单片集成二维标矢量复合声敏感芯片，其特征在于，所述标量声信号测量单元在下电极层的中部设置下电极，下电极外围为键合区，下电极的厚度小于键合区...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋金龙，王甫，凤瑞，李厚旭，周六辉，
申请(专利权)人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心，
类型：发明
国别省市：
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