套刻对准标记的位置偏移量检测方法及半导体的加工方法技术

本申请属于半导体技术领域，揭示一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法、装置、电子设备、存储介质以及半导体的加工方法，该方案在对晶圆前层光刻完成后，获取晶圆的翘曲信息，并基于晶圆的翘曲信息计算目标套刻对准标记的位置偏移量，实现了精准定位目标套刻对准标记的位置信息。后续制程中可以利用该位置偏移量，具体可以是在对晶圆当层进行光刻处理时基于位置偏移量对晶圆当层的套刻对准标记位置进行补偿，从而降低套刻误差。并且，本申请无需改变原有的光刻工艺流程，没有物料的增加及改变。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别涉及一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法、装置、电子设备、存储介质以及半导体的加工方法。

技术介绍

1、在半导体研发和批量生产中，ovl(overlay，套刻误差)一直以来是作为光刻工作中的重要指标进行监管。

2、ovl，是指晶圆相邻两层图案之间的位置偏移量。晶圆的制造是通过多层电路层叠加而成，晶圆的层上设置套刻对准标记，光刻制程通过寻找套刻对准标记进行曝光，从而使晶圆相邻两层图案之间对准。然而，在整个晶圆制程中，每个阶段晶圆的翘曲程度不一致，这就导致晶圆上的套刻对准标记位置随晶圆的翘曲产生变化，由于曝光机不能实时的、准确的识别晶圆的实际套刻对准标记信息，影响曝光的精准度，最终导致ovl变差。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请提供了一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法、装置、电子设备、存储介质以及半导体的加工方法。

2、根据本申请实施例的一方面，公开了一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法，该套刻对准标记的位置偏移量检测方法包括：>

3、在对晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，所述基于所述晶圆的翘曲信息，计算目标套刻对准标记的位置偏移量，包括：

3.根据权利要求2所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，所述晶圆的翘曲信息包括位于所述晶圆的翘曲位置与非翘曲位置之间的临界位置和多个采样点位置，其中，所述多个采样点沿所述晶圆的径向间距分布且位于所述临界位置与所述晶圆的边缘位置之间；

4.根据权利要求3所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的...

【技术特征摘要】

1.一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，所述基于所述晶圆的翘曲信息，计算目标套刻对准标记的位置偏移量，包括：

3.根据权利要求2所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，所述晶圆的翘曲信息包括位于所述晶圆的翘曲位置与非翘曲位置之间的临界位置和多个采样点位置，其中，所述多个采样点沿所述晶圆的径向间距分布且位于所述临界位置与所述晶圆的边缘位置之间；

4.根据权利要求3所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，所述基于所述弧长积分值和所述弧长积分公式，获得所述目标套刻对准标记的位置偏移量，包括：

6.根据权利要求3所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，所述多个采样点的采样点数目至少为三个，所述多个采样点中相邻的采样点之间的距离相等。

7.根据权利要求2所述的套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨皓宇，白金宝，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：