一种低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子浆料技术领域，特别是一种低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆及其制备方法。所述导电银浆包括如下质量百分比的组分：银粉71％～79％、玻璃粉1％～9％、有机载体20％；所述银粉的粒径为1～5μm；所述玻璃粉的粒径为1～3μm，包括如下质量百分比的组分：63％～69％氧化铋、10％～12％氧化锌、9％～10％氧化硼、4％～5％氧化硅、2％～3％氧化铝、1％～10％氧化铜；所述有机载体包括溶剂、增塑剂、黏结剂，所述溶剂、增塑剂的质量之和与黏结剂质量的比为1:(0.06～0.22)。本发明专利技术制备的导电银浆与低温共烧陶瓷基体具有良好的印刷性、热烧结匹配性、导电性能，符合LTCC技术的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子浆料，特别是一种低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆及其制备方法。

技术介绍

1、微电子技术迅猛发展，芯片集成度越来越高，电子元器件组装密度也日益增大，对电子基板的综合性能要求也越来越高。低温共烧陶瓷(ltcc)是一种在未烧结的流延陶瓷材料上印刷互联导体、元件和电路，并将该结构叠层压制在一起，然后烧结成一个集成式陶瓷多层材料的技术，为实现以上目标提供了解决方案。

2、在低温共烧陶瓷技术中，印刷技术对于其电子元器件、导电线路以及电子封装技术十分重要，而导电浆料是印刷技术中非常重要的电极材料。随着电子元器件和厚膜电路的微型化、集成化发展，线路和元件分布所占空间更小，要求的布线间距和布线宽度更小，从而需要导电浆料具有更高的分辨率和布线精度；另外还需要具有良好的流平性和稳定性、收缩匹配性、低的离子迁移性、与电子元器件的相容性等，这样才能满足电子元器件的使用性能要求。而银是所有金属导体中导电性能最好的，其电阻率大约为(1.65×10-8ω·m)，且银的化学性质比较稳定。

3、因此开发出一种低导电相，且导电性能、流变性能、触变性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆，其特征在于，包括如下质量百分比的组分：银粉71％～79％、玻璃粉1％～9％、有机载体20％；所述银粉的粒径为1～5μm；所述玻璃粉的粒径为1～3μm，包括如下质量百分比的组分：63％～69％氧化铋、10％～12％氧化锌、9％～10％氧化硼、4％～5％氧化硅、2％～3％氧化铝、1％～10％氧化铜；所述有机载体包括溶剂、增塑剂、黏结剂，所述溶剂、增塑剂的质量之和与黏结剂质量的比为1:(0.06～0.22)。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆，其特征在于，导电银浆的细度≤10μm，粘度为120～150Pa·s。<...

【技术特征摘要】

1.一种低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆，其特征在于，包括如下质量百分比的组分：银粉71％～79％、玻璃粉1％～9％、有机载体20％；所述银粉的粒径为1～5μm；所述玻璃粉的粒径为1～3μm，包括如下质量百分比的组分：63％～69％氧化铋、10％～12％氧化锌、9％～10％氧化硼、4％～5％氧化硅、2％～3％氧化铝、1％～10％氧化铜；所述有机载体包括溶剂、增塑剂、黏结剂，所述溶剂、增塑剂的质量之和与黏结剂质量的比为1:(0.06～0.22)。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆，其特征在于，导电银浆的细度≤10μm，粘度为120～150pa·s。

3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆，其特征在于，所述银粉为球状银粉或者类球状银粉。

4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆，其特征在于，所述溶剂为醇类溶剂或醚类溶剂中的一种或两种以上的组合，所述醇类溶剂包括松油醇、松节油、醇酯十二，所述醚类溶剂包括二乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚醋酸酯。

5.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷基体用高匹配性导电银浆...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，肖美慧，田兴友，孙俊，李潇潇，胡坤，宫艺，张献，王化，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：