System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种单级高频调制的隔离型功率变换电路及电路控制方法技术_技高网

一种单级高频调制的隔离型功率变换电路及电路控制方法技术

技术编号:40083580 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-23 15:06
本申请实施例公开了一种单级高频调制的隔离型功率变换电路及电路控制方法,用于功率变换技术领域。其中,在功率变换电路的运行时刻,通过低频驱动一组低频双向开关导通,使一相输入端与高频桥臂调制模块的直流电平中点连通;高频桥臂调制模块的高频桥臂中点与谐振变换模块连接,高频桥臂调制模块用于,对高频桥臂调制模块的直流正极、直流电平中点以及直流负极的相电流进行高频调制,将高频调制后的三相正弦电流通过谐振变换模块进行整流输出。通过低频双向开关连通一相输入端与高频桥臂调制模块的直流电平中点,仅使用单级高频桥臂调制模块即可实现功率变换,相对于两级高频开关进行高频调制,有效减少高频开关损耗,提高功率变换的效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及功率变换,尤其涉及一种单级高频调制的隔离型功率变换电路及电路控制方法


技术介绍

1、现有的功率变换电路应用在电动汽车、家用电器等
,在功率变换电路中将交流电转换为负载所需的直流电,该功率变换电路一般采用两级隔离的拓扑电路实现,该拓扑电路中通过两级高频开关进行高频调制,实现将交流电转换为直流电。

2、然而,每级高频开关都会产生对应的高频开关损耗,使用两级高频开关进行高频调制,容易产生较大的高频开关损耗,导致功率变换的效率降低。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种单级高频调制的隔离型功率变换电路及电路控制方法,有效减少高频开关损耗,提高功率变换的效率。

2、本申请实施例提供了一种单级高频调制的隔离型功率变换电路,其特征在于,包括:三相交流电压源、整流模块、三组低频双向开关、高频桥臂调制模块以及谐振变换模块;所述高频桥臂调制模块的端口包括:直流正极、直流电平中点、直流负极以及高频桥臂中点;

3、所述整流模块用于对所述三相交流电压源输入的三相交流电流进行整流;所述整流模块的第一端与所述高频桥臂调制模块的直流负极连接,所述整流模块的第二端与所述高频桥臂调制模块的直流正极连接;

4、所述三相交流电压源包括三相输入端,三组所述低频双向开关的第一端分别与不同相的输入端连接,三组所述低频双向开关的第二端与所述高频桥臂调制模块的直流电平中点连接;在所述功率变换电路的运行时刻,通过低频驱动一组所述低频双向开关导通,使一相输入端与所述高频桥臂调制模块的直流电平中点连通;

5、所述高频桥臂调制模块的高频桥臂中点与所述谐振变换模块连接,所述高频桥臂调制模块用于,对所述高频桥臂调制模块的直流正极、直流电平中点以及直流负极的相电流进行高频调制,将高频调制后的三相正弦电流通过所述谐振变换模块进行整流输出。

6、进一步的,所述低频双向开关包括:第一低频开关管以及第二低频开关管;

7、所述第一低频开关管的输入端与一相输入端连接,所述第二低频开关管的输入端与所述高频桥臂调制模块的直流电平中点;

8、所述第一低频开关管的输出端与所述第二低频开关管的输出端相连接。

9、进一步的,所述高频桥臂调制模块包括半桥桥臂,所述半桥桥臂包括:第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一二极管以及第二二极管;

10、所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管以及所述第四开关管相串联;

11、所述第一开关管的输入端为所述半桥桥臂的直流正极,所述第四开关管的输出端为所述半桥桥臂的直流负极;

12、所述第一二极管的正极与所述第二二极管的正极连接,且连接点为所述半桥桥臂的直流电平中点;

13、所述第一二极管的负极连接于所述第一开关管以及所述第二开关管的串联线上,所述第二二极管的负极连接于所述第三开关管以及所述第四开关管的串联线上;

14、所述第二开关管以及所述第三开关管的串联线为所述半桥桥臂的高频桥臂中点。

15、进一步的,所述谐振变换模块包括谐振单元、变压器以及整流单元;

16、所述半桥桥臂的高频桥臂中点经所述谐振单元与所述变压器的原边绕组相连接;所述变压器的副边绕组与所述整流单元相连接。

17、进一步的,所述高频桥臂调制模块包括半桥桥臂,所述半桥桥臂包括:第一开关管、第二开关管、第三开关管以及第四开关管;

18、所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管以及所述第四开关管相串联;

19、所述第一开关管的输入端为所述半桥桥臂的直流正极,所述第四开关管的输出端为所述半桥桥臂的直流负极;

20、所述第二开关管与所述第三开关管的串联线为所述半桥桥臂的直流电平中点;

21、所述第一开关管与所述第二开关管的串联线为所述半桥桥臂的第一高频桥臂中点,所述第三开关管与所述第四开关管的串联线为所述半桥桥臂的第二高频桥臂中点。

22、进一步的,所述谐振变换模块包括谐振单元、变压器以及整流单元;

23、所述半桥桥臂的第一高频桥臂中点经所述谐振单元与所述变压器的原边绕组的第一端连接,所述半桥桥臂的第二高频桥臂中点与所述变压器的原边绕组的第二端连接;

24、所述变压器的副边绕组与所述整流单元相连接。

25、进一步的,所述高频桥臂调制模块包括一个半桥桥臂或多个半桥桥臂。

26、进一步的,所述谐振变换模块包括变压器;

27、所述变压器采用串联接法、并联接法、星型接法或三角形接法。

28、进一步的,当所述三相输入端中目标相输入端的相线电压为中间电压值时,导通所述目标相输入端的所述低频双向开关。

29、本申请实施例还提供了一种电路控制方法,所述电路控制方法用于控制如上所述的功率变换电路,包括:

30、在所述功率变换电路的运行时刻,通过低频驱动一组低频双向开关导通,使一相输入端与所述功率变换电路中高频桥臂调制模块的直流电平中点连通;

31、驱动所述高频桥臂调制模块对所述高频桥臂调制模块的直流正极、直流电平中点以及直流负极的相电流进行高频调制。

32、从以上技术方案可以看出,本申请实施例具有以下优点:

33、其中,三组低频双向开关的第一端分别与不同相的输入端连接,三组低频双向开关的第二端与高频桥臂调制模块的直流电平中点连接;在功率变换电路的运行时刻,通过低频驱动一组低频双向开关导通,使一相输入端与高频桥臂调制模块的直流电平中点连通;高频桥臂调制模块的高频桥臂中点与谐振变换模块连接,高频桥臂调制模块用于,对高频桥臂调制模块的直流正极、直流电平中点以及直流负极的相电流进行高频调制,将高频调制后的三相正弦电流通过谐振变换模块进行整流输出。通过低频双向开关连通一相输入端与高频桥臂调制模块的直流电平中点,仅使用单级高频桥臂调制模块即可实现功率变换,相对于两级高频开关进行高频调制,有效减少高频开关损耗,提高功率变换的效率。

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【技术保护点】

1.一种单级高频调制的隔离型功率变换电路,其特征在于,包括:三相交流电压源、整流模块、三组低频双向开关、高频桥臂调制模块以及谐振变换模块;所述高频桥臂调制模块的端口包括:直流正极、直流电平中点、直流负极以及高频桥臂中点;

2.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述低频双向开关包括:第一低频开关管以及第二低频开关管;

3.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述高频桥臂调制模块包括半桥桥臂,所述半桥桥臂包括:第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一二极管以及第二二极管;

4.根据权利要求3所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述谐振变换模块包括谐振单元、变压器以及整流单元;

5.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述高频桥臂调制模块包括半桥桥臂,所述半桥桥臂包括:第一开关管、第二开关管、第三开关管以及第四开关管;

6.根据权利要求5所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述谐振变换模块包括谐振单元、变压器以及整流单元;

7.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述高频桥臂调制模块包括一个半桥桥臂或多个半桥桥臂。

8.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述谐振变换模块包括变压器;

9.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,当所述三相输入端中目标相输入端的相线电压为中间电压值时,导通所述目标相输入端的所述低频双向开关。

10.一种电路控制方法,其特征在于,所述电路控制方法用于控制如权利要求1至9任一项所述的隔离型功率变换电路,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种单级高频调制的隔离型功率变换电路,其特征在于,包括:三相交流电压源、整流模块、三组低频双向开关、高频桥臂调制模块以及谐振变换模块;所述高频桥臂调制模块的端口包括:直流正极、直流电平中点、直流负极以及高频桥臂中点;

2.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述低频双向开关包括:第一低频开关管以及第二低频开关管;

3.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述高频桥臂调制模块包括半桥桥臂,所述半桥桥臂包括:第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一二极管以及第二二极管;

4.根据权利要求3所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所述谐振变换模块包括谐振单元、变压器以及整流单元;

5.根据权利要求1所述的隔离型功率变换电路,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨甫吕凡张超华梁舒展刘国辉
申请(专利权)人:深圳市科华恒盛科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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