一种宽禁带半导体晶圆抛光方法技术

本发明专利技术属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其包括：将柔性固结磨料抛光膜安装抛光盘上，将宽禁带半导体晶圆设置在柔性固结磨料抛光膜表面，并在宽禁带半导体晶圆上方设置载物盘；向载物盘施加载荷，使宽禁带半导体晶圆与柔性固结磨料抛光膜产生挤压接触，驱动所述抛光盘转动，以使柔性固结磨料抛光膜与宽禁带半导体晶圆在不同旋转速度下产生相对运动；在柔性固结磨料抛光膜表面加入两性离子化合物溶液作为抛光液，抛光液在所述磨粒的摩擦诱导下与宽禁带半导体晶圆产生界面化学反应，生成硬度较低的反应层；通过磨粒去除反应层，实现宽禁带半导体晶圆的抛光。本发明专利技术具有加工精度高、效率高、成本低等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体抛光，更具体地，涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法。

技术介绍

1、在半导体光电子器件制造过程中，半导体衬底表面质量对器件的生产制造有着较大的影响，因此衬底表面抛光是一项至关重要的工艺步骤。但是由于宽禁带半导体材料具有硬度高，化学稳定性强等特点，传统的化学机械抛光难以达到化学机械作用平衡，从而导致后续的外延缺陷高、取向杂乱，外延质量低等问题。

2、在传统化学机械抛光中，使用固结磨料抛光膜进行抛光加工时，由于磨料与半导体晶圆的接触方式为刚性接触，此时机械去除作用过大，导致加工表面容易产生严重的划痕和亚表面损伤等缺陷。使用游离磨料添加在抛光液中进行抛光加工时，加工中磨料的运动轨迹无法得到有效的控制，导致无法达到均匀、平坦的超光滑表面，同时由于使用游离磨料进行加工时通常选用的是粒径较小的如氧化硅和氧化铈等软质磨料，存在抛光效率低的问题。使用强酸强碱或强氧化性试剂可以对宽禁带半导体晶圆的表面进行改性处理，从而更容易被去除，但是由于半导体晶圆在抛光的前道工序磨削会引入大量损伤，在缺陷处的表面积更大，导致加工表面存在一定的反应活性差异，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述弹性体材料为聚氨基甲酸酯纤维、丁苯橡胶、SBS弹性体、POE弹性体中的一种。

3.根据权利要求1所述的宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述柔性基底厚度为0.8-2.4mm。

4.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述磨粒采用高硬度、大粒径的磨料制成。

5.根据权利要求1所述的宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述磨粒采用金刚石、碳化硼、氮化硼或氧化铝中的一种，其粒度为W0.5-10。<...

【技术特征摘要】

1.一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述弹性体材料为聚氨基甲酸酯纤维、丁苯橡胶、sbs弹性体、poe弹性体中的一种。

3.根据权利要求1所述的宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述柔性基底厚度为0.8-2.4mm。

4.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述磨粒采用高硬度、大粒径的磨料制成。

5.根据权利要求1所述的宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所述磨粒采用金刚石、碳化硼、氮化硼或氧化铝中的一种，其粒度为w0.5-10。

6.根据权利要求1所述的宽禁带半导体晶圆抛光方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯聪明，刘首麟，庞义澳，陆静，
申请(专利权)人：华侨大学，
类型：发明
国别省市：