一种测试半导体器件的方法和系统技术方案

技术编号:40079612 阅读:20 留言:0更新日期:2024-01-17 02:21
本发明专利技术涉及半导体器件测试技术领域,尤其涉及一种测试半导体器件的方法和系统,一种测试半导体器件的方法和系统,包括半导体器件、电源模块、编程模块、数据储存模块、显示模块、通信接口模块、半导体测试模块、指令输入模块、运行处理模块、数据输出模块、数据转换模块、测试验证模块、数据读取模块、输出校检模块、异常判断模块、自动警示模块、运行时间记录模块、电路监控模块、温度检测模块和电压检测模块,所述半导体器件包括有电源模块、编程模块、数据储存模块和显示模块。该测试半导体器件的方法和系统通过半导体测试模块和测试验证模块可测试半导体器件是否存在程序异常,通过电路监控模块可测试半导体器件是否存在物理异常。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件测试,尤其涉及一种测试半导体器件的方法和系统


技术介绍

1、半导体(semi conductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质,其电导率容易受控制,可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看,半导体非常重要。很多电子产品,如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。

2、现有的半导体器件在测试时通常采用程序测试的方式检测半导体器件的运行状况。

3、现有的半导体器件在测试时一般不能够同时实现半导体器件的程序异常测试和电路异常测试,并且不具备警示的功能,为此,我们提出一种测试半导体器件的方法和系统。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种测试半导体器件的方法和系统,解决了上述
技术介绍
中提出的现有的半导体器件在测试时一般不能够同时实现半导体器件的程序异常测试和电路异常测试,并且不具备警示的功能的问题。

2、为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:

3、一种测试半导体器件的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测试半导体器件的方法和系统,包括半导体器件(1)、电源模块(101)、编程模块(102)、数据储存模块(103)、显示模块(104)、通信接口模块(2)、半导体测试模块(3)、指令输入模块(301)、运行处理模块(302)、数据输出模块(303)、数据转换模块(304)、测试验证模块(4)、数据读取模块(401)、输出校检模块(402)、异常判断模块(403)、自动警示模块(404)、运行时间记录模块(5)、电路监控模块(6)、温度检测模块(601)和电压检测模块(602),其特征在于,所述半导体器件(1)包括有电源模块(101)、编程模块(102)、数据储存模块(103)和显示...

【技术特征摘要】

1.一种测试半导体器件的方法和系统,包括半导体器件(1)、电源模块(101)、编程模块(102)、数据储存模块(103)、显示模块(104)、通信接口模块(2)、半导体测试模块(3)、指令输入模块(301)、运行处理模块(302)、数据输出模块(303)、数据转换模块(304)、测试验证模块(4)、数据读取模块(401)、输出校检模块(402)、异常判断模块(403)、自动警示模块(404)、运行时间记录模块(5)、电路监控模块(6)、温度检测模块(601)和电压检测模块(602),其特征在于,所述半导体器件(1)包括有电源模块(101)、编程模块(102)、数据储存模块(103)和显示模块(104),所述半导体器件(1)电性连接有电源模块(101)和编程模块(102),且半导体器件(1)还电性连接有数据储存模块(103)和显示模块(104),所述半导体器件(1)还电性连接有通信接口模块(2),且通信接口模块(2)的输出端电性连接有半导体测试模块(3),所述半导体测试模块(3)的输出端电性连接有测试验证模块(4),且半导体测试模块(3)的输出端还电性连接有运行时间记录模块(5),所述电路监控模块(6)电性连接于所述半导体器件(1)的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种测试半导体器件的方法和系统,其特征在于,所述电源模块(101)、编程模块(102)、数据储存模块(103)、显示模块(104)均与半导体器件(1)之间为电性连接,且电源模块(101)、编程模块(102)、数据储存模块(103)、显示模块(104)之间为并联连接。

3.根据权利要求1所述的一种测试半导体器件的方法和系统,其特征在于,所述半导体器件(1)通过通信接口模块(2)与半导体测试模块(3)之间构成电性连接,且半导体测试模块(3)与测试验证模块(4)之间为单向电性连接。

4.根据权利要求1所述的一种测试半导体器件的方法和系统,其特征在于,所述半导体测试模块(3)包括有指令输入模块(301)、运行处理模块(302)、数据输出模块(303)和数据...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈泳宇沈红星李北印
申请(专利权)人:弘润半导体苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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