【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件用涂料,尤其是涉及制备氮化硼-mxene填料的方法、其应用的涂料及涂料制备方法。
技术介绍
1、随着柔性可穿戴电子器件、5g通讯、3d集成电路、微纳传感等技术的高速发展,电子元器件的尺寸更小、集成度更高、集成的功能越来越多,逐渐向微型化、平面化、高频化、低损耗和高稳定性方向发展,与其随之而来的器件发热问题成为制约行业发展的重要难题。过高的热量聚集将会造成元器件变形老化、电路短路、使用寿命减退等现象,研究表明,电子元器件在额定工作温度范围时,温度每降低1℃,其故障率随之降低4%;而当超过最大设定温度20℃后,故障率将高达100%;
2、为了保证电子元器件电路的安全性,电子元器件在集成组装过程,都需要涂布一层涂料;然而,当普通涂料涂布到电子产品表面后,会形成致密的涂层,涂料中的连接料则会固化成膜,牢牢地附着在电子元器件的表面,进一步加剧了热量的聚集。
3、现有技术中,现有技术人员对电子元器件用涂料进行了广泛研究,金属、陶瓷、高分子材料等相继被研究者使用,但是将其应用于导热涂料后,存在分散性差、
...【技术保护点】
1.制备氮化硼-MXene填料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的制备氮化硼-MXene填料的方法,其特征在于,
3.如权利要求1所述的制备氮化硼-MXene填料的方法,其特征在于:所述强酸与MXene的质量比为(1:1)-(1:0.01)。
4.如权利要求2所述的制备氮化硼-MXene填料的方法,其特征在于:所述胺类物质为尿素、氯化铵、多巴胺中的一种或多种。
5.如权利要求2所述的制备氮化硼-MXene填料的方法,其特征在于:步骤(1)中所述的胺类物质和六方氮化硼晶体加入到极性溶剂后固含量为10~
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【技术特征摘要】
1.制备氮化硼-mxene填料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的制备氮化硼-mxene填料的方法,其特征在于,
3.如权利要求1所述的制备氮化硼-mxene填料的方法,其特征在于:所述强酸与mxene的质量比为(1:1)-(1:0.01)。
4.如权利要求2所述的制备氮化硼-mxene填料的方法,其特征在于:所述胺类物质为尿素、氯化铵、多巴胺中的一种或多种。
5.如权利要求2所述的制备氮化硼-mxene填料的方法,其特征在于:步骤(1)中所述的胺类物质和六方氮化硼晶体加入到极性溶剂后固含量为10~50%。
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:官燕燕,叶义成,屈贞财,陈海生,吴成英,杨惠琪,
申请(专利权)人:中山火炬职业技术学院,
类型:发明
国别省市:
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