【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子封装材料，具体为一种复合电子封装材料的制备工艺。
技术介绍
1、tsop封装工艺常用于闪存芯片的封装，其寄生参数小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高，同时tsop封装具有成品率高，相比fbga来说，价格更加便宜，因此得到了极为广泛的应用。
2、典型的tsop2+1的封装形式，其封装体内有两个活性芯片和一个空白芯片，其上下两层为含有电路的真正芯片，中间一层为单晶硅空白芯片，三层芯片之间设置有环氧树脂层作为芯片之间的固定材料，传统的封装工艺中会采用环氧树脂银浆进行芯片之间的固定，其整体的封装工艺理论较为简单成本也不高，但是实际操作时由于环氧树脂的流动性过大，从而导致整个封装工艺的良品率较差，故而现有技术中存在一种采用环氧树脂贴片的方式将其直接附着在晶圆背面代替传统的喷涂环氧树脂银液的方式进行芯片之间的固定，此种工艺需要预制环氧树脂贴片，成本会有所提高但是整体的封装良品率得到的显著的提高。
3、由于tsop封装采用的是多层封装结构，其内部至少含有两个活性晶圆，其主要用于闪存芯片的封装，在电子产品的使用过程中闪存芯片需要一直处于运行状态，其工作时单颗芯片就会产生较多的热量，叠加封装的方式虽然能够制造出容量更大的闪存芯片，但是其整体的散热负担也随之加大，传统的tsop封装工艺中，无论采用环氧树脂银液还是采用环氧树脂贴片进行芯片之间的固定，由于环氧树脂本身导热性能并不佳，这就让芯片内部的热量很难传递到表壳，故而整个会影响闪存的性能释放。
技术实现思路p>
1、本专利技术的目的在于提供一种复合电子封装材料的制备工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种复合电子封装基片材料，包括质量分数为60-70wt％环氧树脂、10-20wt％辅料、2-5wt％硅粉、1-2wt％助剂、2-5wt％铝粉、2-5wt％发泡剂和5wt％-10wt％固化剂。
3、更进一步地，所述辅料包括比例为1：(0.5-1)：(1-2)的硅胶、玻璃纤维和炭黑，所述助剂包括比例为1：(1-2)：(1-2)的分散剂、抗静电剂和防老剂。
4、一种复合电子封装材料结构，包括一种复合电子封装基片材料制备的基片，基片厚度为100-1000μm，基片内部遍布空隙为1-10μm的孔洞，所述孔洞内部填充有导热材料。
5、更进一步地，所述基片孔洞内部填充的导热材料包括石墨烯、导热硅脂和导热系数超过200w/mk的金属制品中的一种或者多种混合物。
6、一种复合电子封装材料的制备工艺，一种复合电子封装材料，该工艺包括以下步骤：
7、s1：物料混合，将硅粉、铝粉加入到环氧树脂中，充分搅拌充分后得到初始物料；
8、s2：辅料助剂添加，将辅料和助剂分别加入到初始物料中，搅拌后得到二级物料；
9、s3：倒入模具，将发泡剂加入到二级物料中，搅拌3～5分钟中将物料放置在模具中；
10、s4：加压发泡，将模具放入压力容器中，加压1-2mpa的压力发泡1—2小时后，将气压减少为0.2-0.5mpa进行静置0.5—1小时，再将压力缩减为常压静置一段时间后得到固化的基片母料；
11、s5：渗透处理，将导热材料渗透到基片母料的空隙中，得到半成品物料；
12、s6：对半成品物料进行裁切，得到成品物料。
13、6.根据权利要求5所述的一种复合电子封装材料的制备工艺，所述s1步骤中硅粉和铝粉的目数在10000-20000目之间，所述s1步骤中搅拌时间由物料重量决定，每千克物料搅拌时间为1～2分钟。
14、更进一步地，所述s3步骤中，模具中的物料厚度为0.2—0.5mm，所述s4步骤中物料在常压环境中静置1—2小时。
15、一种复合电子封装材料的制备工艺，使用了一种复合电子封装基片材料，该工艺包括以下步骤：
16、n1：物料混合，将硅粉、铝粉、辅料、助剂加入到环氧树脂中，充分搅拌充分后得到初始物料；
17、n2：倒入模具，将发泡剂加入到初始物料中，搅拌3～5分钟中将物料放置在模具中；
18、n3：加压发泡，将模具放入压力容器中，加压1-2mpa的压力发泡1—2小时后，将气压减少为0.2-0.5mpa进行静置0.5—1小时，再将压力缩减为常压静置一段时间后得到固化的基片母料；
19、n4：将石墨烯粉末加水制浆后，加入交联剂，交联剂与石墨烯粉末的质量比为(1-2)：100，得到石墨烯浆料；
20、n5：渗透处理，石墨烯浆料平铺在基片母料上方，振动20—30分钟后刮除多余石墨烯浆料，得到预制品；
21、n6：烘干，将预制品放入40-50℃的烘干房持续烘干30—60分钟得到半成品；
22、n7：对半成品进行裁切，得到厚度为0.1—1mm的薄片。
23、更进一步地，所述n4步骤中石墨烯的粉末目数在10000-20000目之间，所述n6步骤中烘干后的半成品中石墨烯浆料的含水量小于1％。
24、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
25、该复合电子封装材料的制备工艺，通过以环氧树脂为基本材料，保证封装后整体的结构强度和机械属性，同时通过辅料、硅粉、助剂、铝粉的添加，使得复合电子封装材料的基片富有更良好的机械特性和导热特性，相较于普通的电子封装用的环氧树脂，其能够提供更高的导热效率，进而能够让芯片工作时产生的热量快速地被传递给芯片的外壳。
26、同时，利用多孔的基片机构，在进行复合电子封装材料生产时，在基片材料的孔洞内部添加导热材料，导热材料能够填充基片中的空隙，这样能够利用导热材料的高导热性进一步的提升材料的导热效果，在进行闪存等芯片的封装是代替原有的纯环氧树脂封装方式，使得芯片之间的固定材料更加具有导热性，这样能够让叠加芯片热量更快的传递给引脚和外壁进行散热，保证芯片的性能释放。
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1.一种复合电子封装基片材料，其特征在于：包括质量分数为60-70wt％环氧树脂、10-20wt％辅料、2-5wt％硅粉、1-2wt％助剂、2-5wt％铝粉、2-5wt％发泡剂和5wt％-10wt％固化剂。
2.根据权利要求1所述的一种复合电子封装材料，其特征在于：所述辅料包括比例为1：(0.5-1)：(1-2)的硅胶、玻璃纤维和炭黑，所述助剂包括比例为1：(1-2)：(1-2)的分散剂、抗静电剂和防老剂。
3.一种复合电子封装材料结构，其特征在于：包括由权利要求1-2任一项所述的一种复合电子封装基片材料制备的基片，基片厚度为100-1000μm，基片内部遍布空隙为1-10μm的孔洞，所述孔洞内部填充有导热材料。
4.根据权利要求2所述的一种复合电子封装材料结构，其特征在于：所述基片孔洞内部填充的导热材料包括石墨烯、导热硅脂和导热系数超过200W/mk的金属制品中的一种或者多种混合物。
5.一种复合电子封装材料的制备工艺，其特征在于：使用了权利要求1-2任意一项所述的一种复合电子封装基片材料，该工艺包括以下步骤：
6.根
7.根据权利要求5所述的一种复合电子封装材料的制备工艺，其特征在于：所述S3步骤中，模具中的物料厚度为0.2—0.5mm，所述S4步骤中物料在常压环境中静置1—2小时。
8.一种复合电子封装材料的制备工艺，其特征在于：使用了权利要求1-2任意一项所述的一种复合电子封装材料，该工艺包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种复合电子封装材料的制备工艺，其特征在于：所述N4步骤中石墨烯的粉末目数在10000-20000目之间，所述N6步骤中烘干后的半成品中石墨烯浆料的含水量小于1％。
...【技术特征摘要】
1.一种复合电子封装基片材料，其特征在于：包括质量分数为60-70wt％环氧树脂、10-20wt％辅料、2-5wt％硅粉、1-2wt％助剂、2-5wt％铝粉、2-5wt％发泡剂和5wt％-10wt％固化剂。
2.根据权利要求1所述的一种复合电子封装材料，其特征在于：所述辅料包括比例为1：(0.5-1)：(1-2)的硅胶、玻璃纤维和炭黑，所述助剂包括比例为1：(1-2)：(1-2)的分散剂、抗静电剂和防老剂。
3.一种复合电子封装材料结构，其特征在于：包括由权利要求1-2任一项所述的一种复合电子封装基片材料制备的基片，基片厚度为100-1000μm，基片内部遍布空隙为1-10μm的孔洞，所述孔洞内部填充有导热材料。
4.根据权利要求2所述的一种复合电子封装材料结构，其特征在于：所述基片孔洞内部填充的导热材料包括石墨烯、导热硅脂和导热系数超过200w/mk的金属制品中的一种或者多种混合物。
5.一种复...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹翔，
申请(专利权)人：浙江惠盛新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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