【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造,特别是涉及一种霍尔片单元、霍尔测量阵列及其使用方法和霍尔传感器。
技术介绍
1、近年来,随着人力成本的提升,无人化工厂越来越多,对于产品的缺陷信息定位能力决定着产品的良率,如天然气波纹管的裂缝、弱焊接、石油管道的老化等,如检测不足将会产生危机人民生命财产安全的重大事故。
2、基于霍尔效应的磁传感器适用于宽量程的弱磁信号检测,但是目前的磁检测技术多采用单一封装的传感器去检测,而这样能够获取的信息十分有限,不能很好的反应产品的全部信息,工作室检测效率比较低,空间分辨率也不高。而多元件封装的传感器探头在沿传送带方向阵列占用面积比较大,导致相同面积下能够集成的霍尔元件比较少,而降低了样品的空间分辨率。
3、因此,亟待一种检测效率高、空间分辨率高且空间利用率高的霍尔传感器。
4、应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的,不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人
【技术保护点】
1.一种霍尔片单元,其特征在于,所述霍尔片单元包括:衬底、阱区和霍尔电气接触点;
2.根据权利要求1所述的霍尔片单元,其特征在于,每个所述霍尔电气接触点在所述衬底上的投影为正方形,每个所述霍尔片单元的2个所述驱动电流端均有一条对角线与所述阱区的所述第一对角线重叠,每个所述霍尔片单元的的2个所述输出电压端均有一条对角线与所述阱区的所述第二对角线重叠。
3.根据权利要求1所述的霍尔片单元,其特征在于,每个所述霍尔片单元的所述阱区的边长为a,每个所述霍尔电气接触点与其所在的所述霍尔片单元的中心点之间的距离为b,a:b=1:0.707。
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...【技术特征摘要】
1.一种霍尔片单元,其特征在于,所述霍尔片单元包括:衬底、阱区和霍尔电气接触点;
2.根据权利要求1所述的霍尔片单元,其特征在于,每个所述霍尔电气接触点在所述衬底上的投影为正方形,每个所述霍尔片单元的2个所述驱动电流端均有一条对角线与所述阱区的所述第一对角线重叠,每个所述霍尔片单元的的2个所述输出电压端均有一条对角线与所述阱区的所述第二对角线重叠。
3.根据权利要求1所述的霍尔片单元,其特征在于,每个所述霍尔片单元的所述阱区的边长为a,每个所述霍尔电气接触点与其所在的所述霍尔片单元的中心点之间的距离为b,a:b=1:0.707。
4.一种霍尔测量阵列,其特征在于,所述霍尔测量阵列包括:多个权利要求1-3中任意一项所述的霍尔片单元为第一霍尔片单元,所述第一霍尔片单元的所述第一对角线在第一直线上进行排列,位于所述第一直线上的两个相邻但不属于同一个所述第一霍尔片单元的第一驱动电流端和第二驱动电流端之间共用一个引脚衬垫;
5.根据权利要求4所述的霍尔测量阵列,其特征在于,所述正方形的边长为a,相邻两个所述第一霍尔片单元的两个所述第二对角线之间的距离和相邻两个所述第二霍尔片单元的两个所述第一对角...
【专利技术属性】
技术研发人员:王海,林涛,李子豪,赵寅瀚,孔祥燕,
申请(专利权)人:宁波大学,
类型:发明
国别省市:
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