【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
1、氧化铟锡(indium tin oxide，ito)是一种半导体透明材料，具有导电性能好，透过率高，机械强度高，化学稳定性好等优点，被广泛应用于发光二极管(light emittingdiode，led)的电流扩展层。
2、相关技术中，采用磁控溅射法，且直接使用较高的溅射速率，在led的外延片上生长一层ito电流扩展层。
3、然而，使用较高的溅射速率在led的外延结构上生长一层ito电流扩展层会对外延结构造成一定的损伤，影响led芯片的质量。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，能提高发光二极管芯片的质量。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管芯片的制作方法，包括：提供具有外延结构的衬底，所述外延结构包括依次层叠在所述衬底上的n型半导体层、有源层和p型半导体层；在第一氩气氛围内，采用第一靶基距，在所述p型半导体层上形成第一电流扩展层，所述第一靶基距为靶材料和所述p型半导体层之间的距离；在第二氩气氛围内，采用第二靶基距，在所述第一电流扩展层上形成第二电流扩展层，所述第二靶基距为靶材料和所述第一电流扩展层之间的距离，所述第二氩气氛围内的氩气流量小于所述第一氩气氛围内的氩气流量，所述第二靶基距小于所述第一靶基距；在第三氩气氛围内，采用第三靶基距，在所述第二电流扩展层上形成第三电流扩展层，所述第三靶基距为靶材料和所述第二电流扩展层之间的
3、可选地，所述第一氩气氛围内的氩气流量为200sccm至250sccm，所述第二氩气氛围内的氩气流量为100sccm至150sccm，所述第三氩气氛围内的氩气流量为65sccm至80sccm。
4、可选地，所述第一靶基距为100nm至120mm，所述第二靶基距为80mm至100mm，所述第三靶基距为60mm至80mm。
5、可选地，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层中的至少一个电流扩展层采用直流溅射和射频溅射的结合的方式形成。
6、可选地，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层均采用直流溅射和射频溅射的结合的方式形成；其中，形成所述第一电流扩展层时，所述直流溅射的功率为100w至200w，所述射频溅射的功率为100w至200w；形成所述第二电流扩展层时，所述直流溅射的功率为200w至300w，所述射频溅射的功率为200w至300w；形成所述第三电流扩展层时，所述直流溅射的功率为400w至500w，所述射频溅射的功率为400w至600w。
7、可选地，所述第一电流扩展层的溅射速率低于所述第二电流扩展层的溅射速率，所述第二电流扩展层的溅射速率低于所述第三电流扩展层的溅射速率。
8、可选地，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层的厚度之和为1100埃。
9、可选地，所述第一电流扩展层的厚度小于所述第二电流扩展层的厚度，所述第二电流扩展层的厚度小于所述第三电流扩展层的厚度。
10、可选地，所述第一电流扩展层的厚度为110埃至220埃，所述第二电流扩展层的厚度为220埃至330埃，所述第三电流扩展层的厚度为550埃至770埃。
11、另一方面，提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片采用如前所述的任一种制作方法制作。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，通过在不同的氩气氛围内，采用不同的靶基距，分别形成三个电流扩展层，且第二氩气氛围内的氩气流量小于第一氩气氛围内的氩气流量，第三氩气氛围内的氩气流量小于第二氩气氛围内的氩气流量，第二靶基距小于第一靶基距，第三靶基距小于第二靶基距。由于靶基距越大，溅射速率越低，溅射形成的膜层均匀性越好，氩气流量越大，溅射形成的膜层均匀性越好，因此在外延结构上形成第一电流扩展层的溅射速率较低，并且第一电流扩展层的均匀性和致密性较好，可以减少磁控溅射对外延结构的损伤，以提高led芯片的质量。并且，第一电流扩展层和第三电流扩展层之间还有溅射速率适中的第二电流扩展层，这样可以保证相邻两个电流扩展层的均匀性和致密性不会有太大的差异，第二电流扩展层可以起到过渡的作用，以保证电流扩展层的整体质量较好。同时，形成第二电流扩展层和第三电流扩展层的溅射速率逐渐提高，可以使形成电流扩展层的整体速率较高，不影响实际生产时的产能。
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1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氩气氛围内的氩气流量为200sccm至250sccm，所述第二氩气氛围内的氩气流量为100sccm至150sccm，所述第三氩气氛围内的氩气流量为65sccm至80sccm。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一靶基距为100nm至120mm，所述第二靶基距为80mm至100mm，所述第三靶基距为60mm至80mm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层中的至少一个电流扩展层采用直流溅射和射频溅射的结合的方式形成。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层均采用直流溅射和射频溅射结合的方式形成；
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层的溅射速率低于所述第二电流扩展层的溅射速率，所述第二电流扩展层的溅射速率低于所述第三电流扩展层的溅射
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层的厚度之和为1100埃。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层的厚度小于所述第二电流扩展层的厚度，所述第二电流扩展层的厚度小于所述第三电流扩展层的厚度。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层的厚度为110埃至220埃，所述第二电流扩展层的厚度为220埃至330埃，所述第三电流扩展层的厚度为550埃至770埃。
10.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片采用如权利要求1至9任一项所述的制作方法制作。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氩气氛围内的氩气流量为200sccm至250sccm，所述第二氩气氛围内的氩气流量为100sccm至150sccm，所述第三氩气氛围内的氩气流量为65sccm至80sccm。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一靶基距为100nm至120mm，所述第二靶基距为80mm至100mm，所述第三靶基距为60mm至80mm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层中的至少一个电流扩展层采用直流溅射和射频溅射的结合的方式形成。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层和所述第三电流扩展层均采用直流溅射和射频溅射结合的方式形...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄彪彪，肖和平，汪洋，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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