【技术实现步骤摘要】
本申请涉及元件封装领域，具体涉及一种封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、封装结构通常包括内埋元件(如芯片)，内埋芯片的连接端可通过引线框架引出，从而可连接至电路板或进行电性测试。
2、现有的封装结构中，内埋元件均采用单面导通的方式集成在封装结构中。当需要将内埋元件双面的连接端从同一侧引出以方便电性测试时，制程通常较复杂。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种可以简化制程并且可以实现内埋元件异面同侧导通的封装结构的制备方法。本申请还提供一种封装结构。
2、本申请提供的一种封装结构的制备方法，包括：
3、将导电框架和内埋元件电连接形成中间体，所述内埋元件包括在第一方向依次设置的第一连接端和第二连接端，所述导电框架包括第一导电部和与所述第一导电部电连接的第二导电部，所述第二导电部沿所述第一方向凸出于所述第一导电部，所述第一导电部和所述第二导电部围设形成收容空间，所述第二导电部包括远离所述第一导电部设置的第一电连接端面，所述内埋元件容置于所述收容空间内且通过所述第一导电部与所述第一连接端电连接；
4、在所述收容空间内填充绝缘树脂，使所述绝缘树脂包覆所述内埋元件，所述绝缘树脂固化后形成绝缘层，所述绝缘层沿所述第一方向包括依次设置的底面和顶面，所述第一电连接端面露出于所述顶面；
5、在所述顶面形成至少一个开孔，所述第二连接端露出于所述开孔；
6、在所述开孔内形成导电件以形成所述封装结构。
7、可选地，将所
8、在所述第一导电部上依次形成第一导电层和第一焊接层，将所述第一连接端安装在所述第一焊接层上。
9、可选地，所述导电框架在垂直于所述第一方向的第二方向上包括间隔设置的第一框体和第二框体，所述第一框体包括所述第一导电部和所述第二导电部，所述第二框体包括第三导电部和与所述第三导电部电连接的第四导电部，所述第四导电部沿所述第一方向凸设于所述第三导电部，所述第四导电部包括远离所述第三导电部设置的第二电连接端面，所述第一导电部、所述第二导电部、所述第三导电部和所述第四导电部共同形成所述收容空间；
10、当将所述导电框架和所述内埋元件电连接时，所述内埋元件还通过所述第三导电部与所述第一连接端电连接；
11、在固化所述绝缘树脂形成所述绝缘层后，所述第二电连接端面也露出于所述顶面。
12、可选地，制备所述导电框架的步骤包括：
13、将导电基板切割成多个第一导电垫和多个第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫在所述第二方向上间隔设置，定义第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，多个所述第一导电垫在所述第三方向上间隔设置，多个所述第二导电垫在所述第三方向上间隔设置；
14、通过塑性成型工艺加工所述第一导电垫和所述第二导电垫，得到所述导电框架。
15、可选地，在所述第一方向上，所述第一电连接端面和所述第二电连接端面均凸设于所述第二连接端。
16、可选地，所述导电件包括远离所述内埋元件设置的端面，在所述第一方向上，所述端面到所述第一导电部的距离h1大于所述第一电连接端面到所述第一导电部的距离h2，10μm＜h1-h2＜80μm，所述端面到所述第三导电部的距离h3大于所述第二电连接端面到所述第三导电部的距离h4，10μm＜h3-h4＜80μm。
17、可选地，所述导电件包括焊球或导电柱。
18、本申请还提供了一种封装结构，包括内埋元件，所述封装结构还包括导电框架、绝缘层和导电件；
19、所述内埋元件包括在第一方向依次设置的第一连接端和第二连接端；
20、所述导电框架包括第一导电部和与所述第一导电部电连接的第二导电部，所述第二导电部沿所述第一方向凸设于所述第一导电部，所述第一导电部和所述第二导电部围设形成收容空间，所述第二导电部包括远离所述第一导电部设置的第一电连接端面，所述内埋元件容置于所述收容空间内且通过所述第一导电部与所述第一连接端电连接；
21、所述绝缘层设于所述收容空间内，所述绝缘层包覆所述内埋元件，所述绝缘层沿所述第一方向包括依次设置的底面和顶面，所述第一电连接端面露出于所述顶面；
22、所述顶面上设置有至少一个开孔，所述第二连接端露出于所述开孔；
23、所述导电件设于所述开孔内且与所述第二连接端电连接。
24、可选地，所述导电框架在垂直于所述第一方向的第二方向上包括间隔设置的第一框体和第二框体，所述第一框体包括所述第一导电部和所述第二导电部，所述第二框体包括第三导电部和与所述第三导电部电连接的第四导电部，所述第四导电部沿所述第一方向凸设于所述第三导电部，所述第四导电部包括远离所述第三导电部设置的第二电连接端面，所述第一导电部、所述第二导电部、所述第三导电部和所述第四导电部共同形成所述收容空间，所述内埋元件还通过所述第三导电部与所述第一连接端电连接；
25、所述第二电连接端面也露出于所述顶面，所述第一电连接端面和所述第二电连接端面均在所述第一方向上凸设于所述第二连接端。
26、可选地，所述导电件包括远离所述内埋元件设置的端面，在所述第一方向上，所述端面到所述第一导电部的距离h1大于所述第一电连接端面到所述第一导电部的距离h2，所述端面到所述第三导电部的距离h3大于所述第二电连接端面到所述第三导电部的距离h4，10μm＜h1-h2＜80μm，10μm＜h3-h4＜80μm。
27、相比于现有技术，本申请通过设置导电框架的结构，使得内埋元件的第一连接端经第一导电部和第二导电部引出至第一电连接端面。第二导电部沿第一方向凸设于第一导电部，可以实现第一连接端和第二连接端在同一方向导通，实现异面同侧导通。另外，相比于现有技术，本申请减少了在绝缘层内部形成导电引线的步骤。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，将所述导电框架和所述内埋元件电连接的步骤包括：
3.如权利要求2所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述导电框架在垂直于所述第一方向的第二方向上包括间隔设置的第一框体和第二框体，所述第一框体包括所述第一导电部和所述第二导电部，所述第二框体包括第三导电部和与所述第三导电部电连接的第四导电部，所述第四导电部沿所述第一方向凸设于所述第三导电部，所述第四导电部包括远离所述第三导电部设置的第二电连接端面，所述第一导电部、所述第二导电部、所述第三导电部和所述第四导电部共同形成所述收容空间；
4.如权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，制备所述导电框架的步骤包括：
5.如权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一电连接端面和所述第二电连接端面均凸设于所述第二连接端。
6.如权利要求5所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述导电件包括远离所述内埋元件设置的端面，在所述第一方向上，所述端面到所
7.如权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述导电件包括焊球或导电柱。
8.一种封装结构，包括内埋元件，其特征在于，所述封装结构还包括导电框架、绝缘层和导电件；
9.如权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述导电框架在垂直于所述第一方向的第二方向上包括间隔设置的第一框体和第二框体，所述第一框体包括所述第一导电部和所述第二导电部，所述第二框体包括第三导电部和与所述第三导电部电连接的第四导电部，所述第四导电部沿所述第一方向凸设于所述第三导电部，所述第四导电部包括远离所述第三导电部设置的第二电连接端面，所述第一导电部、所述第二导电部、所述第三导电部和所述第四导电部共同形成所述收容空间，所述内埋元件还通过所述第三导电部与所述第一连接端电连接；
10.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述导电件包括远离所述内埋元件设置的端面，在所述第一方向上，所述端面到所述第一导电部的距离H1大于所述第一电连接端面到所述第一导电部的距离H2，所述端面到所述第三导电部的距离H3大于所述第二电连接端面到所述第三导电部的距离H4，10μm＜H1-H2＜80μm，10μm＜H3-H4＜80μm。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，将所述导电框架和所述内埋元件电连接的步骤包括：
3.如权利要求2所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述导电框架在垂直于所述第一方向的第二方向上包括间隔设置的第一框体和第二框体，所述第一框体包括所述第一导电部和所述第二导电部，所述第二框体包括第三导电部和与所述第三导电部电连接的第四导电部，所述第四导电部沿所述第一方向凸设于所述第三导电部，所述第四导电部包括远离所述第三导电部设置的第二电连接端面，所述第一导电部、所述第二导电部、所述第三导电部和所述第四导电部共同形成所述收容空间；
4.如权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，制备所述导电框架的步骤包括：
5.如权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一电连接端面和所述第二电连接端面均凸设于所述第二连接端。
6.如权利要求5所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述导电件包括远离所述内埋元件设置的端面，在所述第一方向上，所述端面到所述第一导电部的距离h1大于所述第一电连接端面到所述第一导电部的距离h2，10μm＜h1-h2＜80μm，所述端面到所述第三导电部的距离h...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭满芝，
申请(专利权)人：鹏鼎控股深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。