本发明专利技术提供了一种微机电麦克风的制备方法，包括如下步骤：选择基底，在基底的第一表面上制备第一挡板结构；在第一挡板结构背离基底的一侧制备振膜结构，振膜结构的周缘向第一挡板的正投影落在第一挡板上；在振膜结构背离第一挡板的一侧间隔制备第二挡板结构，第二挡板结构与第一挡板结构连接，且第二挡板结构向振膜结构的正投影至少部分落在振膜结构的周缘；在第二挡板结构背离振膜结构的一侧间隔制备背板结构，背板结构包括若干声学通孔；刻蚀基底与第一表面相对的第二表面，形成背腔结构。与相关技术相比，本发明专利技术的微机电麦克风的制备方法，旨在提升振膜的自由度以提升微机电麦克风的灵敏度的同时提升振膜结构的结构强度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及麦克风，尤其涉及一种微机电麦克风的制备方法。
技术介绍
1、随着无线通讯的发展，用户对移动电话的通话质量要求越来越高，麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计的好坏直接影响移动电话的通话质量。
2、由于微机电系统技术（micro-electro-mechanic system,mems）具有小型化、易集成、高性能、低成本等特点，使其获得业界青睐，mems麦克风在当前的移动电话中应用较为广泛；常见的mems麦克风为电容式，即包括振膜和背板，二者构成mems声传感电容，在高性能的mems麦克风中，除了需要进行低噪声的设计外，高灵敏度的mems麦克风设计也是当前设计必须考量的重要因素。现有技术mems麦克风采用四条悬臂梁的设计，能够使得振膜获得较大的自由度，进而获得很高的灵敏度。
3、然而，前述mems麦克风设计在可靠性实验下，振膜与基底或背板的撞击中，较窄的悬臂梁为振膜的断裂弱点。基于此，有必要提供了一种新的微机电麦克风的制备方法，以在提升振膜的自由度的同时提升振膜的结构强度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服上述技术问题，提供一种能够在提升振膜的自由度的同时提升振膜的结构强度的微机电麦克风的制备方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种微机电麦克风的制备方法，包括如下步骤：
3、选择基底，在基底的第一表面上沉积第一氧化层；
4、图形化第一氧化层，第一氧化层包括多个第一连接通孔；
>5、在第一氧化层的表面沉积第一氮化硅层直至填满第一连接通孔，图形化第一氮化硅层以形成第一挡板结构；6、在第一挡板结构的表面沉积第二氧化层，图形化第二氧化层，第二氧化层包括第二连接通孔；
7、在第二氧化层的表面沉积第一多晶硅层直至填满第二连接通孔，图形化第一多晶硅层以形成振膜结构，振膜结构的周缘向第一挡板的正投影落在第一挡板上；
8、在振膜结构的表面沉积第三氧化层并图形化，以露出至少部分第一挡板；
9、在第三氧化层的表面沉积第二氮化硅层，图形化第二氮化硅层以形成第二挡板结构，第二挡板结构与第一挡板结构连接，且第二挡板结构向振膜结构的正投影至少部分落在振膜结构的周缘；
10、在第二挡板结构的表面沉积第四氧化层，在第四氧化层的表面沉积背板材质层，图形化背板材质层形成背板结构，背板结构包括若干声学通孔；
11、背面刻蚀基底，形成对应于背板结构中间主体区域的背腔结构；
12、经声学通孔去除第三氧化层与第四氧化层，经背腔结构去除背腔结构上方的第一氧化层与第二氧化层。
13、进一步地，图形化第一氧化层包括在第一氧化层的靠近边缘的位置沿第一氧化层的边缘刻蚀出呈环状的第一连接通孔。
14、进一步地，第一连接通孔的数量为多个，多个第一连接通孔沿第一氧化层的中心部分向边缘部分的方向依次间隔设置。
15、进一步地，图形化第二氧化层包括在第二氧化层的靠近边缘的位置刻蚀出第二连接通孔。
16、进一步地，第一多晶硅层填满第二连接通孔的部分为振膜结构的引出电极。
17、进一步地，沉积第一氧化层包括依次沉积第一子氧化层与第二子氧化层，第二子氧化层的沉积厚度大于第一子氧化层。
18、进一步地，第二子氧化层的厚度与第一子氧化层的厚度的比值为2至5。
19、进一步地，形成背腔结构包括从基底的第二表面减薄并刻蚀基底。
20、进一步地，沉积背板材质层包括依次沉积第三氮化硅层与第二多晶硅层。
21、与相关技术相比，本专利技术提供的微机电麦克风的制备方法，通过在振膜结构沿振动方向的两端分别设置第一挡板结构与第二挡板结构，以利用第一挡板结构与第二挡板结构限制振膜结构在振动方向的位移，进而减少振膜结构达到断裂应力的可能性，进而提升了振膜结构的结构强度。
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【技术保护点】
1.一种微机电麦克风的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述图形化所述第一氧化层包括在所述第一氧化层的靠近边缘的位置沿所述第一氧化层的边缘刻蚀出呈环状的所述第一连接通孔。
3.根据权利要求2所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述第一连接通孔的数量为多个，多个所述第一连接通孔沿所述第一氧化层的中心部分向边缘部分的方向依次间隔设置。
4.根据权利要求1所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述图形化所述第二氧化层包括在所述第二氧化层的靠近边缘的位置刻蚀出所述第二连接通孔。
5.根据权利要求4所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层填满所述第二连接通孔的部分为所述振膜结构的引出电极。
6.根据权利要求1所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述沉积所述第一氧化层包括依次沉积第一子氧化层与第二子氧化层，所述第二子氧化层的沉积厚度大于所述第一子氧化层的沉积厚度。
7.根据权利要求6所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述第二子氧化层的厚度与所述第一子氧化层的厚度的比值为2至5。
8.根据权利要求1所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述形成背腔结构包括从所述基底的第二表面减薄并刻蚀所述基底。
9.根据权利要求1所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述沉积背板材质层包括依次沉积第三氮化硅层与第二多晶硅层。
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【技术特征摘要】
1.一种微机电麦克风的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述图形化所述第一氧化层包括在所述第一氧化层的靠近边缘的位置沿所述第一氧化层的边缘刻蚀出呈环状的所述第一连接通孔。
3.根据权利要求2所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述第一连接通孔的数量为多个，多个所述第一连接通孔沿所述第一氧化层的中心部分向边缘部分的方向依次间隔设置。
4.根据权利要求1所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述图形化所述第二氧化层包括在所述第二氧化层的靠近边缘的位置刻蚀出所述第二连接通孔。
5.根据权利要求4所述的微机电麦克风的制备方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雨微，张睿，
申请(专利权)人：瑞声光电科技常州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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