【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及声表面波器件领域，特别是涉及一种ihp saw滤波器及射频前端。
技术介绍
1、高性能声表面波器件（incredible high performance saw，ihp saw）由于其具备高q值，低温度系数tcf以及良好的散热性，在目前的滤波器设计中获得广泛的应用。其q值在中频频段，谐振器的qmax可达3000左右是传统滤波器qmax的三倍以上，可同时兼顾滤波器性能要求的低插损(low il)和高抑制（high attenuation）。此外，ihp saw可以通过改变基板材料的热膨胀系数和声速来满足设计需求的器件温度特性（低tcf）。
2、与传统的saw滤波器不同，ihp saw的主激励模态在谐振频率（fs）与反谐振频率（fa）中间产生横向模式的高阶模态，对滤波器的整体性能产生严重的影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种ihp saw滤波器及射频前端，以抑制ihp saw的横向模式。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、一种ihp saw滤波器及射频前端，包括：由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体；
4、所述叉指电极层上设有叉指电极和至少一个假指；
5、所述叉指电极包括多个指条，每一假指与一指条相对设置；
6、相对设置的假指与指条之间具有凹槽；所述凹槽的底面与所述压电薄膜层上表面间的距离，不小于所述压电薄膜的二分之一厚度，并且，所述底面位于所述
7、可选的，多个指条的长度相等，且多个假指的长度相等。
8、可选的，任两个凹槽的深度相同。
9、可选的，至少两个凹槽的深度互不相同。
10、可选的，所述间隙的长度为0.3λ，λ为声波波长。
11、可选的，所述凹槽是通过刻蚀所述压电薄膜得到的。
12、可选的，所述介质层键合于所述衬底载体上；
13、所述介质层为声学反射层；
14、所述衬底载体为温度补偿层。
15、可选的，所述叉指电极层与所述压电薄膜共同作用以实现电信号与声学信号的转换。
16、一种射频前端，所述射频前端包括上述ihp saw滤波器。
17、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
18、本专利技术实施例中，相对设置的假指与指条之间存在凹槽，该凹槽的底面与压电薄膜层上表面间的距离，不小于压电薄膜的二分之一厚度，并且，位于介质层的下表面之上，上述凹槽构成了假指与指条之间的间隙。声波在ihp saw表面传播时，经过间隙时声速会降低，与激励区域的声速形成声速差，减少声波横向能量的泄露，从而不会激励ihp saw的横向模式，进而有效抑制ihp saw的横向模式，提升滤波器的整体性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种IHP SAW滤波器，其特征在于，包括：由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体；
2.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，多个指条的长度相等，且多个假指的长度相等。
3.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，任两个凹槽的深度相同。
4.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，至少两个凹槽的深度互不相同。
5.根据权利要求3-4任一项所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述间隙的长度为0.3λ，λ为声波波长。
6.根据权利要求5所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述凹槽是通过刻蚀所述压电薄膜得到的。
7.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述介质层键合于所述衬底载体上；
8.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述叉指电极层与所述压电薄膜共同作用以实现电信号与声学信号的转换。
9.一种射频前端，其特征在于，所述射频前端包括权利要求1-8任一项所述IHP SAW滤波器。
...【技术特征摘要】
1.一种ihp saw滤波器，其特征在于，包括：由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体；
2.根据权利要求1所述的ihp saw滤波器，其特征在于，多个指条的长度相等，且多个假指的长度相等。
3.根据权利要求1所述的ihp saw滤波器，其特征在于，任两个凹槽的深度相同。
4.根据权利要求1所述的ihp saw滤波器，其特征在于，至少两个凹槽的深度互不相同。
5.根据权利要求3-4任一项所述的ihp saw滤波器，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王博，唐供宾，邹洁，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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