【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其涉及高压大电流数字串联退出板自锁电路。
技术介绍
1、为了保证过压时不会损坏退出板，出现过压问题不会造成一整串全部停掉，避免时间上的浪费，降低效率。目前的普遍做法是会有一根信号线，退出板部分一旦出现异常情况会给驱动板一个信号，及时切断回路，停掉回路中的电流。保护退出板的同时也保护了驱动板。但是停掉整串电池会导致没有出现问题的退出板也被停掉，整盘电池需要重做，不仅会浪费时间，人力，也会造成生产过程中的效率低下。本专利技术专利是对出现过压异常的退出板利用自锁电路实现快速退出，锁住当前状态，并保证回路正常运行，可以降低旁路mos管的ds电压，降低成本的同时，可以大大提高效率，并且在与驱动板配合的过程中，做好相应参数的保护，保证驱动板和退出板不会出现损坏。
2、在已有的串联系统中，利用运放采集对应电池的线电压，当出现异常情况(包括电流线脱落，电池没有接触完全，电池在托盘中抖动等)，采到较高的线电压。由单片机设置比较器的基准，当输出的高的电压通过分压后大于基准电压，高电压通过或门后的电压打开光耦，光耦后端输出一个信号，此信号用于控制整个回路的开关，光耦导通后此信号拉低，总回路开关被切断。此时，当回路中没有电流后，在将电池退出。目前实际应用中一个驱动板可以匹配四十个退出板，这就意味着一旦有一个退出板出现过压的现象，其余三十九个会全部停止工作。这种情况下不仅会浪费现有的资源，还会降低生产效率，并且需要逐个排查异常，增加人工成本以及时间成本。元器件的选型对于mos管ds电压有较高的要求，目前采用的时60v的mos
技术实现思路
1、为克服上述问题，本专利技术提供高压大电流数字串联退出板自锁电路。
2、本专利技术采用的技术方案是：高压大电流数字串联退出板自锁电路，包括电连接的正常切入切出电路、过压检测电路和异常电池切出电路；
3、所述正常切入切出电路包括串联的旁路和电池路，旁路中串联有mos管q5，电池路中串联有mos管q6和mos管q7，所述mos管q7与mos管q5互斥；由mcu向mos管q5的栅极和mos管q6的栅极发送控制信号，当mos管q5截止时，mos管q6和mos管q7导通，所述正常切入切出电路从旁路切入至电池路；
4、所述异常电池切出电路内置有基准电压，当所述正常切入切出电路中的电压大于基准电压时，异常电池切出电路将mos管q6栅极接收到控制信号限制在低电平，mos管q6截止；经过延时后将mos管q5栅极接收到的控制信号转为高电平，mos管q5导通，mos管q7截止；所述正常切入切出电路从电池路切入旁路，并被锁定在旁路导通电池路断开的状态；
5、所述过压检测电路在正常切入切出电路的电压大于基准电压时，发送过压信号至mcu，该过压信号由过压检测电路缩小一定的倍数；mcu收到过压信号后向mos管q5的栅极和mos管q6的栅极发送控制信号，将所述正常切入切出电路从旁路切入至电池路。
6、进一步，所述正常切入切出电路还包括反相器、光耦、三极管、电池；所述电池的正极连接mos管q5、mos管q6和mos管q7的漏极，电池的负极连接mos管q5、mos管q6和mos管q7的源极，mos管q5、mos管q6和mos管q7的栅极各连接一个三极管的发射极；所述mcu输出的控制信号经过反相器进行反向后通过光耦进行隔离驱动，光耦后端驱动连接到三极管的基极。
7、进一步，所述异常电池切出电路包括比较器，比较器的输入正端连接正常切入切出电路的电压值，比较器的输入负端连接基准电压值，比较器比较正常切入切出电路的电压值和基准电压值，比较器的信号输出端连接正常切入切出电路中三极管的基极，并通过二极管使比较器信号输出端输出的自锁信号维持在一定状态，通过电阻隔离高低压高低压信号。
8、进一步，所述过压检测电路包括电压运放电路，当高低压高低压信号稳定后，比较器输出端的电压，通过电压运放电路进行相应的放大或缩小，发送至mcu并通过mcu输出控制信号对被锁定的正常切入切出电路进行解锁，使得所述正常切入切出电路从旁路切入至电池路。
9、本专利技术的有益效果是：
10、1、过压自锁电路由硬件直接完成，可靠且迅速。
11、2、解锁时间比较宽泛，如果没有实行检修依旧会触发保护。
12、3、单个通道触发，不会影响其他通道，减少了人力以及时间，并且增大了生产过程中的效率。
13、3、只有在出现一些异常的情况才会出现自锁异常退出的，不影响正常电池切入切出。
14、4、出现异常情况后可以快速的保护元器件不被损坏。
15、5、降低旁路mos管ds电压，降低成本。
16、过压自锁电路可以增加实际生产过程的效率，减少人力以及时间的投入，提升设备的可靠性以及安全性。软硬件配合更高效的保护生产过程中不受损坏，及时筛选异常通道或设备问题，方便维护与生产。降低生产过程中的成本，增加效益，增加了使用过程中的稳定性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.高压大电流数字串联退出板自锁电路，其特征在于：包括电连接的正常切入切出电路、过压检测电路和异常电池切出电路；
2.如权利要求1所述的高压大电流数字串联退出板自锁电路，其特征在于：所述正常切入切出电路还包括反相器、光耦、三极管、电池；所述电池的正极连接MOS管Q5、MOS管Q6和MOS管Q7的漏极，电池的负极连接MOS管Q5、MOS管Q6和MOS管Q7的源极，MOS管Q5、MOS管Q6和MOS管Q7的栅极各连接一个三极管的发射极；所述MCU输出的控制信号经过反相器进行反向后通过光耦进行隔离驱动，光耦后端驱动连接到三极管的基极。
3.如权利要求2所述的高压大电流数字串联退出板自锁电路，其特征在于：所述异常电池切出电路包括比较器，比较器的输入正端连接正常切入切出电路的电压值，比较器的输入负端连接基准电压值，比较器比较正常切入切出电路的电压值和基准电压值，比较器的信号输出端连接正常切入切出电路中三极管的基极，并通过二极管使比较器信号输出端输出的自锁信号维持在一定状态，通过电阻隔离高低压高低压信号。
4.如权利要求3所述的高压大电流数字串联退出板自锁
...【技术特征摘要】
1.高压大电流数字串联退出板自锁电路，其特征在于：包括电连接的正常切入切出电路、过压检测电路和异常电池切出电路；
2.如权利要求1所述的高压大电流数字串联退出板自锁电路，其特征在于：所述正常切入切出电路还包括反相器、光耦、三极管、电池；所述电池的正极连接mos管q5、mos管q6和mos管q7的漏极，电池的负极连接mos管q5、mos管q6和mos管q7的源极，mos管q5、mos管q6和mos管q7的栅极各连接一个三极管的发射极；所述mcu输出的控制信号经过反相器进行反向后通过光耦进行隔离驱动，光耦后端驱动连接到三极管的基极。
3.如权利要求2所述的高压大电流数字串联退出板自锁电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁伟森，刘颖，曹骥，曹政，
申请(专利权)人：浙江杭可科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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