【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路，尤其涉及一种调整电路、基准电压产生电路、芯片系统及电子设备。
技术介绍
1、基准作为每个模拟模块必不可少的组成部分，要求其不随电源电压和温度变化，从而能为后续的电路模块提供稳定的电压。例如在ldo(低压差线性稳压器)电路中作为电压参考源，电压基准的性能直接影响着输出电压的精度，需要在工艺、电源电压以及温度变化时保持稳定。传统的带隙基准电路一般需要采用运算放大器来实现，并引入相应的高阶温度补偿电路以实现低温漂、高精度的特点。但是，这会增大集成电路的面积和功耗，增加电路设计的复杂度。全mos(金属氧化物半导体场效应晶体)结构是利用工作在亚阈值区的mos管栅源电压和电流呈指数关系产生基准电压。现有针对基准电路的研究主要分两类，一类是在传统带隙基础上增加各种曲率补偿电路来提高基准的温度特性，一类是利用不同阈值电压的mos管处于亚阈值区的栅源电压差来生成基准电压。
2、由于mos管在不同工艺角下阈值电压存在很大的差别，因此，全mos管的基准电压在不同工艺角下输出基准变化很大。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种调整电路及基准电压产生电路，用于解决不同工艺角下输出基准电压偏差大的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种调整电路，其特征在于，所述调整电路用于调整与所述调整电路连接的基准电压产生电路，所述基准电压产生电路用于生成恒定的基准电压；
3、所述调整电路包括：开关子模块、数字编码器和比较子模块；
4、所述开关子模块
5、所述比较子模块包括至少两个比较器，用于比较至少两个工艺角的基准电压与初始基准电压，所述初始基准电压为所述基准电压产生电路初始工作时输出的基准电压；
6、所述数字编码器用于根据所述比较子模块的输出结果生成控制码以控制所述开关子模块。
7、可选的，所述至少两个比较器的第一输入信号为初始基准电压，所述至少两个比较器的第二输入信号为不同工艺角下的基准电压，其中所述不同工艺角下的基准电压通过分压电阻对输入电压进行分压获得。
8、可选的，闭合所述开关子模块中的任一开关获得所述初始基准电压。
9、可选的，所述至少两个工艺角的基准电压预先设置，所述分压电阻值预先设置。
10、可选的，所述不同尺寸的mos管包括至少两个阈值电压不同的mos管。
11、第二方面，本申请实施例提供了一种基准电压产生电路，其特征在于，所述基准电压产生电路包括：第一电流产生电路、第二电流产生电路、加法器、初始基准电压产生电路和上述实施例任一所述的调整电路；
12、所述第一电流产生电路与所述第二电流产生电路分别接入加法器的第一输入端与加法器的第二输入端，所述加法器输出与温度无关的电流；
13、所述与温度无关的电流流过所述初始基准电压产生电路，生成初始基准电压。
14、可选的，所述初始基准电压经过所述调整电路调整后输出恒定基准电压。
15、可选的，所述调整电路通过开关与所述初始基准电压产生电路连接，调整所述初始基准电压为所述恒定基准电压。
16、第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如第二方面中任一所述的基准电压产生电路，所述电子设备用于根据所述基准电压产生电路，对所述电子设备中的电路提供基准电压。
17、第四方面，本申请实施例提供了一种芯片系统，包括所述如第二方面中任一所述的基准电压产生电路，所述芯片系统用于根据所述基准电压产生电路，为所述芯片系统所包括的电路提供基准电压。
18、本申请实施例提供的基准电压产生电路，通过开关控制实现不同的工艺角输出相同的基准电压，以解决现有技术中存在的在不同工艺角下输出基准电压偏差大的问题。
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1.一种调整电路，其特征在于，所述调整电路用于调整与所述调整电路连接的基准电压产生电路，所述基准电压产生电路用于生成恒定的基准电压；
2.根据权利要求1所述的调整电路，其特征在于，所述至少两个比较器的第一输入信号为初始基准电压，所述至少两个比较器的第二输入信号为不同工艺角下的基准电压，其中所述不同工艺角下的基准电压通过分压电阻对输入电压进行分压获得。
3.根据权利要求1所述的调整电路，其特征在于，闭合所述开关子模块中的任一开关获得所述初始基准电压。
4.根据权利要求2所述的调整电路，其特征在于，所述至少两个工艺角的基准电压预先设置，所述分压电阻值预先设置。
5.根据权利要求1所述的调整电路，其特征在于，所述不同尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体管包括至少两个阈值电压不同的金属氧化物半导体场效应晶体管。
6.一种基准电压产生电路，其特征在于，所述基准电压产生电路包括：第一电流产生电路、第二电流产生电路、加法器、初始基准电压产生电路和如权利要求1至5任一所述的调整电路；
7.根据权利要求6所述的基准电压产生电路，其
8.根据权利要求6所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述调整电路通过开关与所述初始基准电压产生电路连接，调整所述初始基准电压为所述恒定基准电压。
9.一种芯片系统，其特征在于，包括如权利要求6所述的基准电压产生电路，所述芯片系统用于根据所述基准电压产生电路，为所述芯片系统所包括的电路提供恒定基准电压。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求6所述的基准电压产生电路，所述电子设备用于根据所述基准电压产生电路，对所述电子设备中的电路提供恒定基准电压。
...【技术特征摘要】
1.一种调整电路，其特征在于，所述调整电路用于调整与所述调整电路连接的基准电压产生电路，所述基准电压产生电路用于生成恒定的基准电压；
2.根据权利要求1所述的调整电路，其特征在于，所述至少两个比较器的第一输入信号为初始基准电压，所述至少两个比较器的第二输入信号为不同工艺角下的基准电压，其中所述不同工艺角下的基准电压通过分压电阻对输入电压进行分压获得。
3.根据权利要求1所述的调整电路，其特征在于，闭合所述开关子模块中的任一开关获得所述初始基准电压。
4.根据权利要求2所述的调整电路，其特征在于，所述至少两个工艺角的基准电压预先设置，所述分压电阻值预先设置。
5.根据权利要求1所述的调整电路，其特征在于，所述不同尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体管包括至少两个阈值电压不同的金属氧化物半导体场效应晶体管。
6.一种基...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷述宇，吴小敏，
申请(专利权)人：宁波飞芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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