【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片检测领域，尤其涉及一种芯片温度测试方法及装置。
技术介绍
1、随着芯片产业的不断发展，人们对芯片的可靠性和性能的期望越来越高。为了提升芯片的性能，需要对芯片进行精确的测试。为了保证芯片测试的准确性，测试芯片时需要为芯片提供一个精确的测试环境，特别是需要提供芯片的测试温度。芯片的测试温度是对芯片进行性能测试时芯片的片上真实温度。
2、现有技术中常常测试被测芯片的环境温度或被测芯片的片上真实温度，并将被测芯片的环境温度或被测芯片的片上真实温度作为被测芯片的测试温度，但是当被测芯片的片上真实温度与环境温度不相同时，被测芯片的片上真实温度处于不稳定状态，无法通过被测芯片的环境温度或被测芯片的片上真实温度准确确定被测芯片的测试温度，导致无法为被测芯片提供精确的测试环境，影响被试芯片的测试精度。
技术实现思路
1、鉴于以上内容，有必要提供一种芯片温度测试方法及装置，通过自动化测试设备ate获取满足稳定时间的待测芯片的静电放电(electrostatic discharge，esd)保护电路的二极管的电压和/或二极管的电流，依据电压或电流确定待测芯片的温度，在目标芯片与测试环境达到热平衡时测试目标芯片的片上真实温度，此时目标芯片的片上真实温度处于稳定状态，保证了目标芯片的温度的准确性。
2、第一方面，本申请实施例提供一种芯片温度测试方法，应用于自动化测试设备ate，所述ate包括参数测量单元pmu和数字信号处理dsp芯片，所述芯片温度测试方法包括：若目标芯片
3、其中，稳定时间为ate获取的目标芯片的同类芯片的温度与测试环境的环境温度达到相同所需的时间，稳定时间可预先存储于ate中。其中，目标芯片同类芯片可为与目标芯片相同规格、采用相同工艺制作的芯片。
4、采用上述技术方案，测试芯片温度不需要更改芯片的设计，直接利用目标芯片的esd保护的二极管进行芯片的温度测试，且当目标芯片在测试环境中满足稳定时间时，通过自动化测试设备获取目标芯片的esd保护电路中的二极管两端的电压或/和流过二极管的电流，然后依据电压或/和电流及目标芯片的二极管的电压或/和电流与温度的对应关系确定目标芯片的温度，由于目标芯片在测试环境中满足稳定时间，因此目标芯片与测试环境已达到热平衡或达到热平衡的概率较大，此时测试芯片的温度大概率处于稳定状态，ate测量的目标芯片的温度为目标芯片的稳定的真实温度，可依据该温度确定目标芯片是否达到测试环境的环境温度，以提升目标芯片的温度测试的准确性。通过精确确定目标芯片的测试温度，可提升目标芯片的测试性能。ate仅需在目标芯片在测试环境中的时间大于或等于稳定时间时对目标芯片进行测试，减少了测试次数，提升了测试的效率。
5、进一步地，目标芯片的二极管的电压和\或电流与目标芯片的温度之间的关系可为线性关系，即一个电流或电压对应一个温度，也可为一对多的关系，例如一个温度至对应一个电流范围或电压范围、电流范围。如此，ate测试目标芯片的esd保护电路中的二极管的电压在电压范围或电流在电流范围，则确定目标芯片达到测试温度。
6、在上述第一方面的一种可能的实现中，所述pmu获取的所述电流和/或所述电压为模拟量。其中，相较于数字量，模拟量更能准确体现二极管的电流值或电压值，pmu采用模拟量的电流或电压作为处理对象，可提升数据的准确性。
7、在上述第一方面的一种可能的实现中，所述芯片温度测试方法还包括：确定所述对应关系，所述确定所述对应关系包括：所述pmu获取多个同类芯片的校准测试数据，并将所述校准测试数据向所述dsp芯片发送，其中，所述校准测试数据包括：目标芯片的esd保护电路的二极管接收的激励电压、所述目标芯片的多个温度及每个所述温度对应的流过所述二极管的电流，或所述目标芯片的esd保护电路的二极管接收的激励电流、所述目标芯片的多个温度及每个所述温度对应的所述二极管两端的电压；所述dsp芯片接收所述校准测试数据，依据理想状态下的温度与电压或电流的对应关系确定所述校准测试数据中的目标数据，并依据所述目标数据确定所述目标芯片的温度与电压或电流的对应关系。
8、采用上述技术方案，在进行温度测试之前，通过多次测量获取多个目标芯片的同类芯片的多个测试数据，通过理想状态下的温度与电压或电流的对应关系校准多个测试数据，以缩减测试数据的范围，提升测试数据的精度，通过测量多个同类芯片，以减少不同芯片之间的工艺偏差，提升对应关系的适用范围。
9、在上述第一方面的一种可能的实现中，所述测试环境包括环境温度，所述芯片温度测试方法还包括：确定所述稳定时间，所述确定所述稳定时间的确定方法包括：所述pmu获取测试环境的同类芯片的稳定测试数据，并将所述稳定测试数据向所述dsp芯片发送，其中，所述测试环境包括环境温度，所述稳定测试数据包括环境温度下，所述同类芯片在多个测试时间点对应的电参数；所述dsp芯片接收所述稳定测试数据，依据所述稳定测试数据确定所述稳定时间。
10、采用上述技术方案，通过在多个测试时间点测试同类芯片，若多个连续的时间点对应的电流或电压均相等，则确定此时同类芯片与测试环境达到热平衡，可依据电压或电流相等的多个连续时间点确定稳定时间。进一步地，还可以依据多个连续的时间点对应的电流或电压均相等，确定多个连续时间点对应的同类芯片的温度相同，依据温度相等的多个连续时间确定目标芯片的稳定时间，通过在多个时间点测量同类芯片，以减少不同芯片之间的工艺偏差，提升稳定时间的适用范围。
11、在上述第一方面的一种可能的实现中，所述pmu获取所述目标芯片的esd保护电路的二极管两端的电压和/或流过所述二极管的电流包括：所述pmu向所述目标芯片的esd保护电路的二极管施加激励电压，得到流过所述二极管的电流，或所述pmu向所述目标芯片的esd保护电路的二极管施加激励电流，得到所述二极管两端的电压。
12、采用上述技术方案，可通过pmu向目标芯片的esd保护电路的二极管施加激励电流或激励电压，得到接受激励后的二极管的电流或电压。
13、在上述第一方面的一种可能的实现中，所述芯片温度测试方法还包括：若所述目标芯片的当前温度与测试环境的环境温度不同，则所述pmu依据多个预设测试时间点对所述目标芯片进行测试，以得到所述目标芯片的esd保护电路的二极管的电流或电压，并将所述电流或电压向所述dsp芯片发送；所述dsp芯片依据所述电流或电压及所述对应关系确定所述目标芯片的温度，并依据所述目标芯片的温度与所述环境温度相同的预设测试时本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片温度测试方法，其特征在于，应用于自动化测试设备ATE，所述ATE包括参数测量单元PMU和数字信号处理DSP芯片，所述芯片温度测试方法包括：
2.如权利要求1所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述PMU获取的所述电参数为模拟量。
3.如权利要求1或2所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述芯片温度测试方法还包括：
4.如权利要求1至3任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述测试环境提供环境温度，所述芯片温度测试方法还包括：
5.如权利要求1至4任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述PMU获取所述目标芯片的ESD保护电路的二极管的电参数，包括：
6.如权利要求1至5任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述芯片温度测试方法还包括：
7.如权利要求1至6任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述ATE还包括测试模块，所述芯片温度测试方法还包括：
8.一种自动化测试设备，其特征在于，所述自动化测试设备包括参数测量单元PMU和数字信号处理DSP芯片；其中，若目标芯片处于未
9.如权利要求8所述的自动化测试设备，其特征在于，所述PMU获取的所述电参数为模拟量。
10.如权利要求8或9所述的自动化测试设备，其特征在于，所述PMU还用于获取多个同类芯片的校准测试数据，并将所述校准测试数据向所述DSP芯片发送，其中，所述校准测试数据包括所述同类芯片的ESD保护电路的二极管接收的激励电压、所述同类芯片的多个温度及每个温度对应的所述二极管的电流；或，所述同类芯片的ESD保护电路的二极管接收的激励电流、所述同类芯片的多个温度及每个温度对应的所述二极管两端的电压；
11.如权利要求8至10任一项所述的自动化测试设备，其特征在于，所述PMU还用于获取测试环境的同类芯片的稳定测试数据，并将所述稳定测试数据向所述DSP芯片发送，其中，所述测试环境提供环境温度，所述测试数据包括环境温度下，所述同类芯片在多个测试时间点对应的电参数；
12.如权利要求8至11任一项所述的自动化测试设备，其特征在于，所述PMU进一步用于向所述目标芯片的ESD保护电路的二极管施加激励电压，得到所述二极管的电流；或，
13.如权利要求8至12任一项所述的自动化测试设备，其特征在于，
14.如权利要求8至13任一项所述的自动化测试设备，其特征在于，所述自动化测试设备还包括测试模块，若所述目标芯片的当前温度与所述测试环境的环境温度相等，则所述测试模块对所述目标芯片，上电，进行性能或者可靠性的测试。
15.一种自动化测试设备ATE，其特征在于，所述ATE包括：
16.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行时，实现如权利要求1至7中任一项所述的芯片温度测试方法。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片温度测试方法，其特征在于，应用于自动化测试设备ate，所述ate包括参数测量单元pmu和数字信号处理dsp芯片，所述芯片温度测试方法包括：
2.如权利要求1所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述pmu获取的所述电参数为模拟量。
3.如权利要求1或2所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述芯片温度测试方法还包括：
4.如权利要求1至3任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述测试环境提供环境温度，所述芯片温度测试方法还包括：
5.如权利要求1至4任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述pmu获取所述目标芯片的esd保护电路的二极管的电参数，包括：
6.如权利要求1至5任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述芯片温度测试方法还包括：
7.如权利要求1至6任一项所述的芯片温度测试方法，其特征在于，所述ate还包括测试模块，所述芯片温度测试方法还包括：
8.一种自动化测试设备，其特征在于，所述自动化测试设备包括参数测量单元pmu和数字信号处理dsp芯片；其中，若目标芯片处于未上电状态且在测试环境中的时间满足稳定时间，所述pmu用于获取所述目标芯片的esd保护电路的二极管的电参数，并将所述电参数向所述dsp芯片发送，所述电参数是电参数，所述稳定时间描述了与所述目标芯片同类芯片的温度与测试环境的环境温度达到相同所需的时间；
9.如权利要求8所述的自动化测试设备，其特征在于，所述pmu获取的所述电参数为模拟量。
10.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：焦慧芳，周雪，刘上源，陈周攀，朱国良，张敏，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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