半导体器件及其制作方法、电子设备技术

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制作方法能够通过一次制作工艺形成自对齐的侧墙。该半导体器件的制作方法包括：在基板上形成半导体叠层结构；其中，半导体叠层结构包括交替堆叠的沟道层和牺牲层。去除至少部分牺牲层。在去除牺牲层的位置以及顶层的沟道层的表面制作假栅层，并形成鳍结构。采用同一工艺步骤，同时在的假栅层的两端形成侧墙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓艮，万光星，黄威森，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：