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本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制作方法能够通过一次制作工艺形成自对齐的侧墙。该半导体器件的制作方法包括：在基板上形成半导体叠层结构；其中，半导体叠层结构包括交替堆叠的沟道层和牺牲层。去除...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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