一种PPy包覆rGO直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法技术

一种PPy包覆rGO直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，它涉及一种锂离子印迹膜的制备方法。本发明专利技术使用PPy包覆rGO，依靠PPy的官能团与底膜上的物质进行交联。在最外层负载离子印迹材料，以得到离子吸附性能优异的电控离子印迹膜，克服传统离子印迹膜材料的缺点，拓宽PPy的使用范围，提高整体导电能力及其还原电位。方法：一、制备SP‑PDA@PVDF膜；二、制备PPy/rGO导电聚合物；三、制备PPy/rGO@PDA@PVDF膜；四、制备IIP@PVDF膜。本发明专利技术依靠外加电场的电场力作用，加速了目标离子向膜表面的扩散，离子印迹膜对离子的吸附速率大幅提高，并且在酸性环境下大幅改善了膜的吸附性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种锂离子印迹膜的制备方法。

技术介绍

1、锂主要分布在矿石、盐湖盐水和海水中。其中，盐湖卤水中的锂含量占三分之二。因此，从盐湖卤水和海水中开采锂是解决锂短缺问题的一个很好的替代方案。

2、离子印迹技术作为从盐湖卤水中提取锂最常见的手段之一，有着吸附量大和选择性高等优点，这主要由于离子印迹技术是基于分子印迹技术发展而来的。在实际的盐湖卤水中，除锂离子外，还存在有大量的镁离子等其他离子，因此，具有选择性的离子印迹技术十分适合用来提锂。但是传统的离子印迹膜有着明显的缺点，吸附速率慢和循环吸附量下降明显限制了它的发展。因此发展出了电化学开关离子交换技术与离子印迹技术相结合的手段，来改善离子印迹技术的缺点。但在结合电化学开关离子交换技术过程中，提高材料的导电能力以获得更高的施加电压成为不可避免的问题，因此探索一种可以在高电压下稳定运行材料的制备过程十分重要。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服传统离子印迹膜材料存在的上述技术缺点，而提供一种ppy包覆rgo直接负载电控锂离子印迹膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PPy包覆rGO直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：

2.根据权利要求1所述的一种PPy包覆rGO直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于步骤一①中所述的高碘酸钠溶液的浓度为20mmol/L；步骤一①中所述的乙酸钠缓冲溶液的浓度为50mmol/L；步骤一①中所述的高碘酸钠溶液与乙酸钠缓冲溶液的体积比为20:80；步骤一①中所述的盐酸多巴胺的质量与混合溶液的体积比为0.2g:100mL。

3.根据权利要求1所述的一种PPy包覆rGO直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于步骤一②中所述的PVDF膜的孔...

【技术特征摘要】

1.一种ppy包覆rgo直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：

2.根据权利要求1所述的一种ppy包覆rgo直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于步骤一①中所述的高碘酸钠溶液的浓度为20mmol/l；步骤一①中所述的乙酸钠缓冲溶液的浓度为50mmol/l；步骤一①中所述的高碘酸钠溶液与乙酸钠缓冲溶液的体积比为20:80；步骤一①中所述的盐酸多巴胺的质量与混合溶液的体积比为0.2g:100ml。

3.根据权利要求1所述的一种ppy包覆rgo直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于步骤一②中所述的pvdf膜的孔径为0.45μm，直径为47mm。

4.根据权利要求1所述的一种ppy包覆rgo直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的还原氧化石墨烯的质量与无水乙醇的体积比为(0.2g～0.5g):(25ml～50ml)；步骤二中所述的还原氧化石墨烯的质量与吡咯的体积比为(0.2g～0.5g):(0.6ml～1ml)；步骤二中所述的还原氧化石墨烯的质量与fecl3溶液的体积比为(0.2g～0.5g):(15ml～25ml)。

5.根据权利要求1所述的一种ppy包覆rgo直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的fecl3溶液的浓度为1mol/l；步骤二中所述的搅拌的时间为20min～40min；步骤二中所述的超声处理的时间为5min～10min；步骤二中所述的盐酸的浓度为1mol/l。

6.根据权利要求1所述的一种ppy包覆rgo直接负载电控锂离子印迹膜的制备方法，其特征在于步骤三中所述的ppy/rgo导电聚合物的质...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正，宋鑫，丁筱茏，李文可，李连杰，刘禹霄，
申请(专利权)人：东北电力大学，
类型：发明
国别省市：