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一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路制造技术

技术编号:40061211 阅读:18 留言:0更新日期:2024-01-16 22:43
本发明专利技术提供一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路,包括耗尽型功率半导体器件,N沟道金属氧化物半导体器件,隔离型栅极驱动,隔离型变压器,二极管和电阻;其中耗尽型功率半导体器件的栅极与隔离型栅极驱动的输出相连接,源极与N沟道金属氧化物半导体器件的漏极及输出供电相连接;N沟道金属氧化物半导体器件的栅极与隔离型变压器的输出相连接;第一二极管的阳极与隔离型栅极驱动的输出相连接,阴极与N沟道金属氧化物半导体器件的源极相连接;第二二极管的阳极与隔离型栅极驱动的输出供电相连接,阴极与耗尽型功率半导体器件的源极及N沟道金属氧化物半导体器件的漏极相连接。本发明专利技术完成对耗尽型功率半导体器件的直接控制,提高开关速度和频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子技术及集成电路设计领域,尤其涉及一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路


技术介绍

1、功率半导体器件是电力电子装置中实现电力控制和转换的核心部件,主要功能为调整或改变电路中的电压、电流、频率等物理特性,以实现对电能的管理,其广泛运用于新能源汽车、工业控制、新能源发电、储能、消费电子等领域。

2、功率半导体器件一般分为增强型和耗尽型,其中增强型功率半导体器件栅源电压零伏时关断,高压时导通,栅源驱动电压范围较窄,栅极可靠性较低,栅极受干扰程度较高;耗尽型器件栅源电压零伏时导通,负压时关断,栅极可靠性高,器件电流能力大,制备成本低。通常耗尽型功率半导体器件会与n沟道金属氧化物半导体器件级联使用,以此形成常关的特性,但级联中存在高低侧器件电容电阻匹配的问题,增加设计难度,其次,级联中的寄生往往会带来额外的可靠性问题,制约了器件的进一步发展,同时由于级联器件本质上是驱动低侧低压n沟道金属氧化物半导体器件,因此不能充分发挥耗尽型器件开关速度快的优势。通常电力电子系统中很难直接驱动耗尽型功率半导体器件。


<p>技术实现思本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,所述隔离型变压器的输出直接控制N沟道金属氧化物半导体器件G2:

3.根据权利要求2所述的耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,所述电路输入脉冲源直接控制所述耗尽型功率半导体器件G1的开关:

4.根据权利要求1所述的耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,当所述电路处于待机状态下,可自动补偿关断所述耗尽型功率半导体器件G1:

5.根据权利要求1所述的耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,隔离型变压器,...

【技术特征摘要】

1.一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,所述隔离型变压器的输出直接控制n沟道金属氧化物半导体器件g2:

3.根据权利要求2所述的耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其特征在于,所述电路输入脉冲源直接控制所述耗尽型功率半导体器件g1的开关:

4.根据权利要求1所述的耗尽型功率半导体器件的直驱电路,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:李胜毛伟雄陆伟豪刘斯扬孙伟锋时龙兴
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:

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