一种宽带高隔离度双极化毫米波天线及天线阵列制造技术

本发明专利技术公开一种宽带高隔离度双极化毫米波天线及天线阵列，天线单元工作在25.78GHz‑29.09GHz，由于电容耦合馈电的方式引入额外的谐振零点，从而获得了13.1％的宽阻抗匹配带宽，并通过引入形状不规则的接地环使天线内部端口之间的隔离度提升至29dB以上，以实现天线宽带、高端口隔离、低交叉极化、小型化。本发明专利技术采用RDL工艺，通过多次辐射结构降低导体损耗提升辐射效率。通过±45°正交的端口设置使天线工作在±45°双极化状态下，接地环被用于去耦天线单元内部端口。本发明专利技术宽带高隔离度天线单元具有良好的天线性能，能够更好的适应毫米波无线通信对于信道容量，通信速率的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电磁场与微波，涉及一种宽带高隔离度双极化毫米波天线及天线阵列，具体是一种利用电容耦合馈电的在宽阻抗带宽上具有高端口隔离度的毫米波天线单元即由该天线单元构成的相关阵列，其中工作中心频率为27.5ghz，比例带宽为13.1％，端口隔离度大于29db。

技术介绍

1、随着5g无线通信的不断发展，大容量，大传输速率，超低时延的特性给人们的生活带来了很大的便利。5g技术主要包含以下这些关键技术：毫米波技术、大规模mimo技术、同时同频全双工技术、终端直通技术(device-to-device，d2d)、密集网络覆盖技术、新型网络架构技术。其中多输入多输出(multi-input multi-output，mimo)技术可以在不扩大频谱资源使用的同时极大的提高信道容量和高数据传输速率，因此被广泛的应用于现代无线通信系统。同时由于通信应用的不断发展，低频段已经无法满足现代无线通讯的要求，移动通信系统传统的工作频段主要集中在3ghz以下，这使得频谱资源十分拥挤，而在毫米波、太赫兹频段可用频谱资源仍丰富。显然毫米波技术是一个能够有效缓解频谱资源紧张的可行方案，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽带高隔离度双极化毫米波天线，基于RDL工艺，所述天线包括第一金属层(1)、顶层介质层(2)、第二金属层(3)、中间介质层(4)、第三金属层(5)、底层介质层(6)、第四金属层(7)；

2.根据权利要求1所述天线，其特征在于所述主辐射贴片(11)与两个电容耦合馈电贴片(12)存在间距；两个电容耦合馈电贴片(12)存在间距；所述微带馈线(71)在所述第一金属层(1)上的投影与主辐射贴片(11)错开设置。

3.根据权利要求1所述天线，其特征在于所述接地环(13)的靠近两个电容耦合馈电贴片(12)侧设有第一凸起(131)，所述第一凸起(131)朝向所述接地环(1...

【技术特征摘要】

1.一种宽带高隔离度双极化毫米波天线，基于rdl工艺，所述天线包括第一金属层(1)、顶层介质层(2)、第二金属层(3)、中间介质层(4)、第三金属层(5)、底层介质层(6)、第四金属层(7)；

2.根据权利要求1所述天线，其特征在于所述主辐射贴片(11)与两个电容耦合馈电贴片(12)存在间距；两个电容耦合馈电贴片(12)存在间距；所述微带馈线(71)在所述第一金属层(1)上的投影与主辐射贴片(11)错开设置。

3.根据权利要求1所述天线，其特征在于所述接地环(13)的靠近两个电容耦合馈电贴片(12)侧设有第一凸起(131)，所述第一凸起(131)朝向所述接地环(13)环内；所述接地环(13)的第一凸起(131)所在边的两邻边分别设有第二凸起(132)，所述第二凸起(132)朝向所述接地环(13)环内。

4.根据权利要求3所述天线，其特征在于所述第一凸起(131)为矩形结构；所述第二凸起(132)为由两个堆叠的矩形构成，朝向接地环(13)的矩形尺寸大于朝向主辐射贴片(11)的矩形尺寸。

5.根据权利要求1所述天线，其特征在于所述第一金属层(1)、第二金属层(3)、第三金属层(5)、第四金属层(7)的材质为铜；顶层介质层(2)、底层介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王高峰，程一峰，何阳阳，陈世昌，
申请(专利权)人：杭州泛利科技有限公司，
类型：发明
国别省市：