System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 智能填涂的调整补正装置及方法制造方法及图纸_技高网

智能填涂的调整补正装置及方法制造方法及图纸

技术编号:40056329 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-16 21:59
本发明专利技术提供一种智能填涂的调整补正装置及方法,利用智能填涂的演算单元,对于流体填涂单元所填涂的流体动态地进行侦测,随时判断流体的填涂状况并自动调整下一次流体填涂的流体量。本发明专利技术通过一闭回路达到能够依据前次的流体状态的回馈,并调整本次的流体量,可以解决现有技术中,因流体的状态不易控制(例如溢胶或胶水不足)所引起的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种智能填涂的调整补正装置及方法,尤其为一种利用闭回路装置,并依据前次流体材料状态,而调整本次流体填涂量的调整补正装置及其方法。


技术介绍

1、近年来的封装芯片的技术中,为了适用于各种电子产品,芯片所接合的基板通常为非陶瓷材料,因此芯片与基板之间的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,cte)不同,在封装的过程中容易因热变应力而导致半导体产品的缺陷。

2、为了消除上述的热变应力,现有技术是在芯片与基板之间填充封胶体(underfill),以降低半导体产品的缺陷;为了将封胶体填充至芯片与基板之间,现有技术中包含压模法(molding)及填涂法(dispensing);在压模法中,当基板的厚度极小(例如为薄膜基板)时,压模的灌胶压力容易导致基板的位移,因此压模法不适用在基板的厚度极小的芯片封装。

3、在填涂法中,是在芯片的周边以l型、u型或i型涂布封胶体,封胶体因毛细作用而“渗入”芯片与基板之间的间隙,毛细作用的发生取决于封胶体对芯片与基板的表面张力及其加热温度,借此使封胶体填充并布满于芯片与基板之间隙以进行密封;然而,毛细作用的填充的过程需要时间,且不易控制封胶体的扩散方向,导致填涂的效率较差且质量不易控制,若因填充的时间不足而致使不均匀的扩散时,芯片与基板之间容易产生气泡,导致因封胶不确实而使半导体产品产生缺陷。

4、此外,随着电子产品的高度发展,现今技术中所使用的芯片、基板等材料多元化,不同的芯片与不同的基板之间的间隙都不同,且在同一片芯片中,芯片中每一个位置所对应的基板之间的每一个间隙也都不同,若无法动态地随时进行胶水的调整,很容易因溢胶而使多出来的胶水溢到其他的电子组件(例如焊垫(pad)等),或者因胶量不足而导致不均匀的扩散,这些都会使产品产生缺陷。

5、另外,流体填涂的技术应用还包含“填缝”,即可以将流体于产品的狭缝中进行填涂,例如可以于半导体基板、面板、或其他任何带有狭缝的产品上进行填涂;然而,现有的技术中都无法动态地进行胶水的调整,很容易因溢胶而使狭缝区域多出不必要的胶水,或者因胶量不足而导致狭缝的填涂不充分,这些都会使产品产生缺陷。


技术实现思路

1、本专利技术创作人鉴于上述现有技术的各项缺点,乃亟思加以改良创新,并经多年的研究实验后,终于成功研发完成本专利技术的智能填涂的调整补正装置及方法。

2、本专利技术揭露一种智能填涂的调整补正装置及方法,利用智能填涂的演算单元,对于流体填涂单元所填涂的流体动态地进行侦测,随时判断流体的填涂状况并自动调整下一次流体填涂的流体量,可以解决现有技术中,因流体的状态不易控制(例如溢胶或胶水不足)所引起的缺陷。

3、本专利技术揭露一种智能填涂的调整补正装置,包含:流体填涂单元,将流体材料填涂至目标区域,进行第n次填涂,n为常数;光学量测单元,动态地侦测在目标区域的流体材料的状态,并产生第n三维流体信号;演算单元,电性连接于流体填涂单元及光学量测单元,接收第n三维流体信号,并得出流体材料的状态,演算单元将流体材料的状态与流体状态预设数值比对,若流体材料的状态不符流体状态预设数值,则演算单元传送第n流体量变更信号给流体填涂单元,以使流体填涂单元依据第n流体量变更信号来调整填涂流体量。

4、在本专利技术的一实施例中,目标区域是芯片与基板之间的空隙的流体填涂端。

5、在本专利技术的一实施例中,流体材料的状态包含流体的体积、流体的重量、流体在空隙内的高度、流体在空隙内的宽度、流体填满空隙的程度。

6、在本专利技术的一实施例中,目标区域是狭缝。

7、在本专利技术的一实施例中,流体材料的状态包含流体的体积、流体的重量、流体在狭缝内的高度、流体在狭缝内的宽度、流体填满狭缝的程度。

8、在本专利技术的一实施例中,流体填涂单元是出胶单元;流体材料是胶水;光学量测单元为雷射测量仪、共聚焦雷射扫描显微镜、飞秒红外激光器与共聚焦显微镜的组合、共轭雷射、三维量测装置、超音波量测装置、干涉仪或三角雷射量测装置。

9、在本专利技术的一实施例中,光学量测单元包含有至少一视觉模块。视觉模块可以为ccd相机、ccd影像传感器、cmos影像传感器、cmos相机、光学显微镜、电子扫描显微镜或穿透式显微镜。

10、本专利技术还揭露一种智能填涂的调整补正方法,包含:第n次填涂步骤,流体填涂单元将流体材料填涂至芯片与基板之间的第n流体填涂端,并使流体材料朝向芯片与基板之间的流体扩散端进行扩散,以填涂芯片与基板之间的空隙,n为常数;第n次侦测步骤,光学量测单元动态地侦测在芯片与基板之间的空隙的流体材料的状态,并将第n三维流体信号传送给演算单元;第n次调整步骤,演算单元依据第n三维流体信号来控制流体填涂单元的填涂流体量;第n+1次填涂步骤,借由经演算单元所调整的流体填涂单元,将流体材料填涂至芯片与基板之间的第n+1流体填涂端。

11、在本专利技术的一实施例中,在第n+1次填涂步骤之后,还包括:第n+1次侦测步骤,光学量测单元动态地侦测在芯片与基板之间的空隙的流体材料的状态,并将第n+1三维流体信号传送给演算单元;第n+1次调整步骤,演算单元依据第n+1三维流体信号来控制流体填涂单元的填涂流体量;第n+2次填涂步骤,藉由经演算单元所调整的流体填涂单元,将流体材料填涂至芯片与基板之间的第n+2流体填涂端。

12、本专利技术还揭露一种智能填涂的调整补正方法,包含:第n次填涂步骤,流体填涂单元将流体材料填涂至狭缝,使流体材料对狭缝进行填缝,n为常数;第n次侦测步骤,光学量测单元动态地侦测在狭缝内的流体材料的状态,并将第n三维流体信号传送给演算单元;第n次调整步骤,演算单元依据第n三维流体信号来控制流体填涂单元的填涂流体量。

13、借由如上的智能填涂的调整补正装置及其方法,是将光学量测单元、流体填涂单元与演算单元设计为闭回路,故于每次填涂流体材料后,演算单元能够依据光学量测单元所量测的流体材料的三维信息,而得出流体材料的状态(例如体积或重量),并随时调整流体填涂单元的填涂流体量。本专利技术通过闭回路达到能够依据前次的流体材料填涂量的回馈,并调整本次的流体材料填涂量,借以解决现有技术中因流体的状态不易控制(例如溢胶或胶水不足)所引起的缺陷。

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【技术保护点】

1.一种智能填涂的调整补正装置,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述目标区域是一芯片与一基板之间的一空隙的一流体填涂端。

3.根据权利要求2所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述流体材料的状态包含一流体的体积、一流体的重量、一流体在所述空隙内的高度、一流体在所述空隙内的宽度、或一流体填满所述空隙的程度。

4.根据权利要求1所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述目标区域是一狭缝。

5.根据权利要求4所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述流体材料的状态包含一流体的体积、一流体的重量、一流体在所述狭缝内的高度、一流体在所述狭缝内的宽度、或一流体填满所述狭缝的程度。

6.根据权利要求1所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述流体填涂单元是一出胶单元;所述流体材料是一胶水;所述光学量测单元为一雷射测量仪、一共聚焦雷射扫描显微镜、一飞秒红外激光器与一共聚焦显微镜的组合、一共轭雷射、一三维量测装置、一超音波量测装置、一干涉仪或一三角雷射量测装置。

>7.根据权利要求1所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述光学量测单元包含有至少一视觉模块,所述视觉模块为一CCD相机、一CCD影像传感器、一CMOS影像传感器、一CMOS相机、一光学显微镜、一电子扫描显微镜或一穿透式显微镜。

8.一种智能填涂的调整补正方法,其特征在于,包含:

9.根据权利要求8所述的智能填涂的调整补正方法,其特征在于,在所述第N+1次填涂步骤之后,还包括:

10.一种智能填涂的调整补正方法,其特征在于,包含:

...

【技术特征摘要】

1.一种智能填涂的调整补正装置,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述目标区域是一芯片与一基板之间的一空隙的一流体填涂端。

3.根据权利要求2所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述流体材料的状态包含一流体的体积、一流体的重量、一流体在所述空隙内的高度、一流体在所述空隙内的宽度、或一流体填满所述空隙的程度。

4.根据权利要求1所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述目标区域是一狭缝。

5.根据权利要求4所述的智能填涂的调整补正装置,其特征在于,所述流体材料的状态包含一流体的体积、一流体的重量、一流体在所述狭缝内的高度、一流体在所述狭缝内的宽度、或一流体填满所述狭缝的程度。

6.根据权利要求1所述的智能填涂的调整...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈律名蔡宗霖
申请(专利权)人:库力索法高科股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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