一种退火均匀性的监控方法技术

本发明专利技术提供一种退火均匀性的监控方法，方法包括：首先，提供多个晶圆，在每一晶圆上形成多个外延发光层，其次，在每一晶圆中对应的每一外延发光层上形成P型接触组件，并对P型接触组件进行退火处理，再次，在每一晶圆中的每一P型接触组件及N型半导体层上均形成N型电极组件，并对N型电极组件进行退火处理，最后，对晶圆中每一芯片结构上对应于N型电极组件的所在区域进行电压检测，并根据检测结果来监控每一晶圆在不同区域的退火均匀性；上述方法能够有效的减少了在监控中的光刻沉积等步骤，同时对每个晶圆在整个区域的退火效果进行监控，进而可以有效提高芯片的生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种退火均匀性的监控方法。

技术介绍

1、快速热退火工艺(rapid thermal annealing，rta)在现代半导体产业有重要的应用，其可以极快的升温并在目标温度短暂持续，以对半导体芯片进行热退火，快速的升温过程和短暂的持续时间能够有效的修复晶格缺陷、激活杂质和扩散金属，从而形成良好的欧姆接触。

2、由于快速退火炉内监控温度的手段单一，而且晶圆每个区域的温度设定是定值，当进行快速热退火工艺时，会导致晶圆对快速热退火工艺在不同区域温度的响应不同，加上仅对晶圆部分位置测量电压数据(一般只在每一片晶圆上选取2个边缘位置和1个中心位置进行电压测量)，无法对整个退火炉不同区域的退火效果及晶圆整面退火效果进行有效监控，导致前道工艺批次间退火效果差异过大，经过快速热退火工艺处理后的晶圆出现了只有部分区域可以正常使用的现象，而且有技术都是基于在p型半导体层以及n型半导体层上沉积欧姆接触层后再通过沉积加厚电极金属层测量电压，步骤上过于繁琐，从而影响了生产效率及芯片良率。

3、因此，亟需一种简便的退火均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述S10步骤中，所述外延发光层包括由下至上层叠设置的所述N型半导体层、量子阱有源层以及P型半导体层，所述N型半导体层具有台阶状结构，且所述N型半导体层的面积大于所述量子阱有源层的面积。

3.根据权利要求2所述的芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述S20步骤具体包括：

4.根据权利要求3所述的芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述S202的退火处理步骤中，退火温度为700℃，退火时间为180s，退火气氛为N2与O2的混合...

【技术特征摘要】

1.一种芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述s10步骤中，所述外延发光层包括由下至上层叠设置的所述n型半导体层、量子阱有源层以及p型半导体层，所述n型半导体层具有台阶状结构，且所述n型半导体层的面积大于所述量子阱有源层的面积。

3.根据权利要求2所述的芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述s20步骤具体包括：

4.根据权利要求3所述的芯片退火均匀性的监控方法，其特征在于，所述s202的退火处理步骤中，退火温度为700℃，退火时间为180s，退火气氛为n2与o2的混合氛围，所述退火气氛中n2的气体通入流量为5sccm，所述退火气氛中o2的气体通入流量为2sccm。

5.根据权利要求3所述的芯片退火...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪少伟，罗红波，张爽，郑志强，侯瑞强，
申请(专利权)人：武汉优炜芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：