【技术实现步骤摘要】
本技术属于高功率微波功率放大器，具体涉及一种半导体制冷式高功率微波功率放大器。
技术介绍
1、微波功率放大器的作用是为发射系统放大高电平信号，主要提供相当大的信号功率给负载─天线。所以要求放大器工作在高电流、电压上，它的效率特别具有重要性；
2、其中申请号为“cn201520313740.0”所公开的“温控半导体制冷式高功率微波功率放大器”也是日益成熟的技术，该技术采用半导体制冷芯片阵列对微波功率放大器进行散热，散热效果好，温度相对稳定，为功率放大器的稳定运行提供保障；对温度进行实时监控，从而控制散热风扇的转速，更加省电，也减少了风扇的损耗；
3、但是该装置还存在以下缺陷：半导体制冷芯片在吸收一段时间的热量后，此时半导体制冷芯片的热量也会渐渐增高，如此在长时间使用后半导体制冷芯片的吸热散热效果便会大大下降，从而无法持续满足对微波功率放大器进行散热效果。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，旨在解决现有技术中半导体制冷芯片在吸收一段时间的热量后，此时半导体制冷芯片的热量也会渐渐增高，如此在长时间使用后半导体制冷芯片的吸热散热效果便会大大下降，从而无法持续满足对微波功率放大器进行散热效果的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器，所述微波功率放大器的两侧分别安装有一组接头；
3、所述微波功率放大器的底部开设有卡槽，所述微波功率放大器
4、为了及时吸收微波功率放大器底部产生的热量，作为本技术一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述吸热机构包括安装槽、密封条、盖板和传导板，所述安装槽的内部安装有密封条，所述密封条的上表面连接有盖板，所述盖板的两侧贯穿焊接有传导板。
5、为了使得盖板能够与底盒完成对接，作为本技术一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述安装槽开设在底盒开口端的内壁上，所述盖板的尺寸与底盒开口端最大尺寸相匹配。
6、为了提升对微波功率放大器底部热量的吸收效果，作为本技术一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述传导板为半导体材质，所述传导板在盖板上等间距安装有十一个，每一个所述传导板的顶部与一个卡槽插接。
7、为了使得微波功率放大器和底盒之间的对接安装更加便捷，作为本技术一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述底盒顶角端的表面上安装有限位柱，所述底盒的外壁上固定安装有第一侧板，所述第一侧板的表面上固定安装有螺杆，所述螺杆的顶部贯穿安装在第二侧板的内部。
8、为了防止微波功率放大器与底盒之间的间距过小，作为本技术一种半导体制冷式高功率微波功率放大器优选的，所述第二侧板的一侧固定安装在微波功率放大器的外壁上，所述第一侧板和第二侧板之间互相平行，所述限位柱为硬质橡胶材质，所述限位柱的顶部与微波功率放大器的底部相接触。
9、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
10、1)通过将传导板顶部与卡槽进行对接，然后将盖板安装在底盒上，此时通过进液口向底盒内部加注冷却液，冷却液会将传导板整体温度降低，这样传导板便能有效的吸收微波功率放大器底部产生的热量，从而可以使微波功率放大器具备良好的降温效果；
11、2)将第二侧板与螺杆顶部对接，然后将螺帽拧紧，这样微波功率放大器便能向下移动，最终微波功率放大器便能与底盒完成组装，由此在使用时便能通过该方式简化微波功率放大器与底盒之间的安装方式。
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1.一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器(1)，其特征在于：所述微波功率放大器(1)的两侧分别安装有一组接头(2)；
2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述吸热机构包括安装槽(7)、密封条(8)、盖板(9)和传导板(10)，所述安装槽(7)的内部安装有密封条(8)，所述密封条(8)的上表面连接有盖板(9)，所述盖板(9)的两侧贯穿焊接有传导板(10)。
3.根据权利要求2所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述安装槽(7)开设在底盒(4)开口端的内壁上，所述盖板(9)的尺寸与底盒(4)开口端最大尺寸相匹配。
4.根据权利要求2所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述传导板(10)为半导体材质，所述传导板(10)在盖板(9)上等间距安装有十一个，每一个所述传导板(10)的顶部与一个卡槽(3)插接。
5.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述底盒(4)顶角端的表面上安装有限位柱(11)，所述底盒(4)的
6.根据权利要求5所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述第二侧板(14)的一侧固定安装在微波功率放大器(1)的外壁上，所述第一侧板(12)和第二侧板(14)之间互相平行。
7.根据权利要求5所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述限位柱(11)为硬质橡胶材质，所述限位柱(11)的顶部与微波功率放大器(1)的底部相接触。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器(1)，其特征在于：所述微波功率放大器(1)的两侧分别安装有一组接头(2)；
2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述吸热机构包括安装槽(7)、密封条(8)、盖板(9)和传导板(10)，所述安装槽(7)的内部安装有密封条(8)，所述密封条(8)的上表面连接有盖板(9)，所述盖板(9)的两侧贯穿焊接有传导板(10)。
3.根据权利要求2所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述安装槽(7)开设在底盒(4)开口端的内壁上，所述盖板(9)的尺寸与底盒(4)开口端最大尺寸相匹配。
4.根据权利要求2所述的一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，其特征在于：所述传导板(10)为半导体材质，所述传导板(10)在盖板(...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈牧，陈钊，陈虎，
申请(专利权)人：苏州军杰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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