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本技术属于高功率微波功率放大器技术领域，具体涉及一种半导体制冷式高功率微波功率放大器，包括微波功率放大器，所述微波功率放大器的两侧分别安装有一组接头；所述微波功率放大器的底部开设有卡槽，所述微波功率放大器的底部还设置有一个底盒，所述底盒的一...
该专利属于苏州军杰电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州军杰电子科技有限公司授权不得商用。

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