一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，包括步骤：金属基底研磨抛光；金属基底清洗、烘干；沉积第一层SiO<subgt;2</subgt;薄膜；大气氛围200℃退火；沉积第二层SiO<subgt;2</subgt;薄膜；大气氛围200℃退火；本申请首先通过金属基底研磨抛光得到无划痕、无明显缺陷的金属表面；然后将金属基底在丙酮和酒精溶液中清洗、烘干后，采用离子束溅射工艺在金属基底表面沉积复合SiO<subgt;2</subgt;绝缘薄膜层，并做相应的退火处理；最终得到质量良好的高绝缘氧化硅薄膜；采用复合结缘层的制备工艺，避免了金属基底缺陷的延伸，从而保证金属基传感器的绝缘层薄膜具有较强的耐压强度、低粗糙度和强结合力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属基传感器绝缘层薄膜制备，尤其涉及一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法。

技术介绍

1、随着薄膜制备技术的迅猛发展，绝缘层技术被广泛应用在微电子、集成电路和薄膜传感器中。在金属/介质/金属(mim)和金属/介质/半导体(mis)结构的薄膜中，沉积高绝缘性的绝缘层薄膜是制备传感器的关键技术之一。绝缘层制备在很多类型的金属基传感器中都会应用到，比如金属基应变计、传感器和温度传感器等。在这些金属基薄膜传感器的研制中，首先需要制备致密、高质量的绝缘层薄膜阻挡金属基底和上层金属功能层薄膜导通，防止传感器损伤和失效。同时绝缘层薄膜需要具有膜基结合力强和薄膜粗糙度小等优点，从而保证上层金属功能层薄膜具有良好的生长环境。

2、本专利技术针对绝缘层薄膜的制备方法是应用于金属基传感器的开发中，在mems工艺的发展下，薄膜热电偶、薄膜应变计等薄膜类传感器被广泛研究，通过溅射沉积，可以将绝缘层材料和金属功能层材料直接沉积在金属基底上，制备出的传感器具有小型化、功耗低、长期稳定性好、环境适应性强等特点。在其中，金属基底的绝缘层薄膜制备工艺是关键的制备技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，在步骤S1中，经过研磨抛光处理后的金属基底表面粗糙度Ra小于5nm，Rt小于15nm。

3.根据权利要求1所述的一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，在步骤S2中，将金属基底分别使用酒精和丙酮进行超声清洗，超声清洗时间为20分钟。

4.根据权利要求1所述的一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，在步骤S3中，将烘干后的金属基底放置在离子束溅射腔室中沉积SiO2薄膜，溅射参数选择束压...

【技术特征摘要】

1.一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，在步骤s1中，经过研磨抛光处理后的金属基底表面粗糙度ra小于5nm，rt小于15nm。

3.根据权利要求1所述的一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，在步骤s2中，将金属基底分别使用酒精和丙酮进行超声清洗，超声清洗时间为20分钟。

4.根据权利要求1所述的一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，在步骤s3中，将烘干后的金属基底放置在离子束溅射腔室中沉积sio2薄膜，溅射参数选择束压为800v，束流为150ma，加速电压为100v，氩气流量为6sccm，溅射时长为3小时。

5.根据权利要求1所述的一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘延，李华峰，张锦，张全伟，程发斌，王远，王珏，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院总体工程研究所，
类型：发明
国别省市：