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本发明公开了一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，包括步骤：金属基底研磨抛光；金属基底清洗、烘干；沉积第一层SiO<subgt;2</subgt;薄膜；大气氛围200℃退火；沉积第二层SiO<subgt;2</su...
该专利属于中国工程物理研究院总体工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院总体工程研究所授权不得商用。

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