光电子半导体芯片和组件制造技术

技术编号：40048152 阅读：7 留言：0更新日期：2024-01-16 20:47

在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：‑载体(2)，‑在载体(2)处的半导体层序列(3)，所述半导体层序列具有用于产生辐射(R)的至少一个有源区(33)，‑在半导体层序列(3)的用于耦合输出辐射的耦合输出端面(34)处的光学高折射层(4)，和‑直接在高折射层(4)的外侧处的光学低折射覆层(5)，以用于全反射辐射(R)，其中‑半导体层序列(3)被设计成在有源区(33)中垂直于半导体层序列(3)的生长方向(G)引导辐射(R)，并且‑高折射层(4)被设计成在外侧(45)处使辐射(R)平行于生长方向(G)偏转。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：

2.根据前一项权利要求所述的光电子半导体芯片(1)，

3.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(1)，

4.根据权利要求1和2之一所述的光电子半导体芯片(1)，

5.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(1)，

6.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(1)，

7.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(1)，

8.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(1)，

9.根据前一项权利要求所述的光电子半导体芯片(1)，

10.根据前一项权利要求所述的光电子半导体芯片(1)，

11.根据前一项权利要求所述的光电子半导体芯片(1)，

12.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(1)，

13.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(1)，

14.根据前一项权利要求所述的光电子半导体芯片(1)，

15.一种组件(10)，具有：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】