温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：‑载体(2)，‑在载体(2)处的半导体层序列(3)，所述半导体层序列具有用于产生辐射(R)的至少一个有源区(33)，‑在半导体层序列(3)的用于耦合输出辐射的耦合输出端面(34)处的光学高折...该专利属于AMS-欧司朗国际有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过AMS-欧司朗国际有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：‑载体(2)，‑在载体(2)处的半导体层序列(3)，所述半导体层序列具有用于产生辐射(R)的至少一个有源区(33)，‑在半导体层序列(3)的用于耦合输出辐射的耦合输出端面(34)处的光学高折...