【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种掩模图形优化提取方法、装置及计算机设备。
技术介绍
0、
技术介绍
1、光刻技术和刻蚀技术都是用于制造超大规模集成电路的核心技术。设计者将其设计在版图上的设计图形制造在掩模板上，使得掩模板上设置有掩模图形。
2、光刻技术是光刻系统采用光源照射掩模版，通过投影物镜将掩模上的掩模图形成像到光刻胶上使其在光刻胶上显影为光刻胶图形，需要说明一下掩模图形即为集成电路版图。进一步地，刻蚀技术是依靠等离子体刻蚀工艺把光刻胶上的图形转移到以硅材料为主的衬底上，使得硅片上成像有刻蚀图形轮廓。光刻胶上图形的尺寸与刻蚀后衬底上图形的尺寸通常是不一样的，它们存在着一个偏差，被称为刻蚀偏差。
3、为了消除刻蚀偏差，通常需要基于初始设计图形来获取到掩模图形的移动偏差值，通过移动设计图形来消除刻蚀偏差。现有技术需要借助刻蚀偏差表格对设计图形做刻蚀偏差的补偿从而得到掩模图形。传统刻蚀偏差表的生成过程极为复杂，其对应生成的表格对应的是一个区间值，通过平均的方式来获得整个区间的偏差值。其...
【技术保护点】
1.一种掩模图形优化提取方法，用于基于设计图形和光刻胶图形提取掩模图形，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取设计图形的轮廓边信息包括：
3.如权利要求2所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取预打断位置包括：
4.如权利要求3所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：基于预打断位置对轮廓边进行第一次打断包括：
5.如权利要求4所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：对第一线段进行第二次打断以获得第二线段包括：
6.如权利要求5所述的掩模图形优化提取方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种掩模图形优化提取方法，用于基于设计图形和光刻胶图形提取掩模图形，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取设计图形的轮廓边信息包括：
3.如权利要求2所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取预打断位置包括：
4.如权利要求3所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：基于预打断位置对轮廓边进行第一次打断包括：
5.如权利要求4所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：对第一线段进行第二次打断以获得第二线段包括：
6.如权利要求5所述的掩模图形优化提...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈运，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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