【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种掩模图形优化提取方法、装置及计算机设备。
技术介绍
0、
技术介绍
1、光刻技术和刻蚀技术都是用于制造超大规模集成电路的核心技术。设计者将其设计在版图上的设计图形制造在掩模板上，使得掩模板上设置有掩模图形。
2、光刻技术是光刻系统采用光源照射掩模版，通过投影物镜将掩模上的掩模图形成像到光刻胶上使其在光刻胶上显影为光刻胶图形，需要说明一下掩模图形即为集成电路版图。进一步地，刻蚀技术是依靠等离子体刻蚀工艺把光刻胶上的图形转移到以硅材料为主的衬底上，使得硅片上成像有刻蚀图形轮廓。光刻胶上图形的尺寸与刻蚀后衬底上图形的尺寸通常是不一样的，它们存在着一个偏差，被称为刻蚀偏差。
3、为了消除刻蚀偏差，通常需要基于初始设计图形来获取到掩模图形的移动偏差值，通过移动设计图形来消除刻蚀偏差。现有技术需要借助刻蚀偏差表格对设计图形做刻蚀偏差的补偿从而得到掩模图形。传统刻蚀偏差表的生成过程极为复杂，其对应生成的表格对应的是一个区间值，通过平均的方式来获得整个区间的偏差值。其一对于没有进行测量的区间，则无法得到准确偏差值。其二如果将区间变密，则需要测量大量数据，极为耗费时间。因此，现有技术存在提取掩模图形时效率低，精度差的问题。
技术实现思路
0、
技术实现思路
1、为了解决现有技术存在提取掩模图形时效率低，精度差的问题，本专利技术提供一种掩模图形优化提取方法、装置及计算机设备。
2、本专利技术
3、获取设计图形的轮廓边信息；
4、基于轮廓边信息获取预打断位置，并基于预打断位置对轮廓边进行第一次打断以获得若干第一线段；
5、对第一线段进行第二次打断以获得第二线段，并于第二线段上设置评价点，以使每条第一线段上至少设置一个评价点；
6、获取设计图形对应的光刻胶图形的轮廓；
7、计算每条第一线段上的评价点至光刻胶轮廓的平均距离；
8、第一线段分别基于其对应的平均距离进行移动以提取掩模图形。
9、优选地，获取设计图形的轮廓边信息包括：
10、于设计图形上建立坐标系，坐标系包括横坐标和纵坐标；
11、设定设计图形上某一轮廓边与另一轮廓边的交点为顶点；
12、获取坐标系中顶点的位置以及轮廓边的位置，以获取设计图形的轮廓边信息。
13、优选地，获取预打断位置包括：
14、将设计图形上的顶点沿坐标轴横向或纵向方向进行投影；
15、若某设计图形上的顶点投影后首次相交于该设计图形的轮廓边上，则设定该交点为第一投影点；
16、若某设计图形上的顶点投影后首次相交于另一设计图形的轮廓边上，则设定该交点为第二投影点；
17、获取该设计图形上第一投影点和第二投影点的位置；
18、将该设计图形上顶点、第一投影点和第二投影点的位置作为预打断位置。
19、优选地，基于预打断位置对轮廓边进行第一次打断包括：
20、预打断位置为设计图形的轮廓边上的点的坐标；
21、沿设计图形的轮廓边对轮廓边上的点进行遍历；
22、若某个点的坐标为预打断位置，则于该位置进行第一次打断，直至遍历完轮廓边上所有的点，以使轮廓边打断为若干条第一线段。
23、优选地，对第一线段进行第二次打断以获得第二线段包括：
24、获取设计图形轮廓边的总长度，并基于总长度计算获得平均打断值；
25、判断第一线段进行第二次打断后的长度是否均大于平均打断值；
26、若是，基于平均打断值对第一线段进行第二次打断以获得第二线段；
27、若否，则将第一线段作为第二线段。
28、优选地，基于平均打断值对第一线段进行第二次打断以获得第二线段包括：
29、判断第一线段的长度是否为平均打断值的整数倍；
30、若是，将第一线段进行第二次打断以获得至少两条长度为平均打断值的均匀线段；
31、若否，将第一线段以其两端朝中间的方向进行第二次打断，以获得至少一条长度为平均打断值的均匀线段，以及一条长度不为平均打断值的非均匀线段；
32、将所有第一线段进行第二次打断后获得的均匀线段和非均匀线段作为第二线段。
33、优选地，于第二线段上设置评价点包括：
34、基于第二线段两端端点的组成判断第二线段的类型；
35、根据第二线段的类型于第二线段的预设位置上设置评价点。
36、优选地，计算每条第一线段上的评价点至光刻胶轮廓的平均距离包括：
37、计算第一线段上每个评价点至光刻胶图形的轮廓的最短距离；
38、基于评价点的数量和最短距离的求和值计算出平均距离。
39、本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种装置，应用于上述的掩模图形优化提取方法，所述装置包括：
40、识别模块：用于获取设计图形的轮廓边信息以及光刻胶图形的轮廓；
41、分析模块：用于基于轮廓边信息获取预打断位置；
42、处理模块：用于对轮廓边进行第一次打断以获得若干第一线段，或，用于对第一线段进行第二次打断以获得第二线段；
43、计算模块：用于计算每条第一线段上的评价点至光刻胶轮廓的平均距离；
44、修正模块：用于使第一线段分别基于其对应的平均距离进行移动以提取掩模图形。
45、本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机设备，应用于上述掩模图形优化提取方法，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行上述计算机程序以实现所述版图图形拆分方法。
46、与现有技术相比，本专利技术所提供的一种掩模图形优化提取方法、装置及计算机设备，具有如下的有益效果：
47、1.本专利技术实施例提供的一种掩模图形优化提取方法，用于基于设计图形和光刻胶图形提取掩模图形，包括以下步骤：
48、获取设计图形的轮廓边信息；
49、基于轮廓边信息获取预打断位置，并基于预打断位置对轮廓边进行第一次打断以获得若干第一线段；
50、对第一线段进行第二次打断以获得第二线段，并于第二线段上设置评价点，以使每条第一线段上至少设置一个评价点；
51、获取设计图形对应的光刻胶图形的轮廓；
52、计算每条第一线段上的评价点至光刻胶轮廓的平均距离；
53、第一线段分别基于其对应的平均距离进行移动以提取掩模图形。本实施例通过对设计图形进行二次打断为第二线段，再通过在第二线段上设置评价点，再获取到每一条第一线段上评价点至光刻胶轮廓的平均距离。基于平均距离去对第一线段进行移动以优化性地提取到掩本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种掩模图形优化提取方法，用于基于设计图形和光刻胶图形提取掩模图形，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取设计图形的轮廓边信息包括：
3.如权利要求2所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取预打断位置包括：
4.如权利要求3所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：基于预打断位置对轮廓边进行第一次打断包括：
5.如权利要求4所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：对第一线段进行第二次打断以获得第二线段包括：
6.如权利要求5所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：基于平均打断值对第一线段进行第二次打断以获得第二线段包括：
7.如权利要求1所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：于第二线段上设置评价点包括：
8.如权利要求1所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：计算每条第一线段上的评价点至光刻胶轮廓的平均距离包括：
9.一种装置，其特征在于：所述装置包括：
10.一种计算机设备，应用于如权利要求1-8中任一项所述掩模图
...【技术特征摘要】
1.一种掩模图形优化提取方法，用于基于设计图形和光刻胶图形提取掩模图形，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取设计图形的轮廓边信息包括：
3.如权利要求2所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：获取预打断位置包括：
4.如权利要求3所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：基于预打断位置对轮廓边进行第一次打断包括：
5.如权利要求4所述的掩模图形优化提取方法，其特征在于：对第一线段进行第二次打断以获得第二线段包括：
6.如权利要求5所述的掩模图形优化提...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈运，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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