壳体结构制造技术

一种壳体结构，适用于一电子装置。壳体结构包括一第一导体层、一导电壳体以及一表面处理层。第一导体层具有一锥形凸部。导电壳体配置于第一导体层的一侧，且锥形凸部的一窄端朝向导电壳体。表面处理层位于锥形凸部与导电壳体之间。本发明专利技术提供的壳体结构具有较佳的可靠度与安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种壳体结构，且特别是有关于一种能防止静电放电与阻绝漏电流 的壳体结构。
技术介绍
现今的电子装置中，如何防止静电放电成了产品安全的一个重要课题。为了避免 静电放电造成电子装置内的电子组件损坏，习知一种作法便是在电子装置内的两个不同的 接地端之间装设二极管，例如美国专利US4，958，255中所示者。再者，当使用者操作电子装置时，人体所带的静电亦会沿着机壳上的缝隙进入机 壳内部而放电。为了解决此问题，在另一习知技术中是在机壳内与电子组件之间配置一导 电件或防止静电的电路板，并将此导电件或电路板连接至接地端，藉以将静电导引至接地 端，以避开机壳内的电子组件，例如美国专利US20070121308与US20060266544中所示者。但上述这些技术仅解决由外而内的静电放电导致内部电子组件损坏的问题，却未 考虑到电子装置于使用时，其机壳内的主机板模块会产生漏电流，而此漏电流会传导至电 子装置的机壳造成使用者触电的情形发生。此外，上述这些技术仍须在机壳内增设构件，此 举亦会造成电子装置的内的可利用空间减少，并会增加电子装置的成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种壳体结构，其具有较佳的可靠度与安全性。本专利技术的一实施例提出一种壳体结构，适用于一电子装置。壳体结构包括一第一 导体层、一第二导体层以及一第一表面处理层。第一导体层具有一锥形凸部。第二导体层 配置于第一导体层的一侧，且锥形凸部的一窄端朝向第二导体层。第一表面处理层位于锥 形凸部与第二导体层之间。当该第二导体层接受一静电时，该静电将被该窄端的该第一导 体层所吸引而跳跃至该第一导电层。当该电子装置产生一漏电流且该漏电流传递至该第一 导体层时，该漏电流将被该第一表面处理层阻挡而使该第二导体层表面不会有该漏电流。基于上述，在本专利技术的上述实施例中，壳体结构通过在第一导体层所形成的锥形 凸部，其窄端朝向第二导体层，并在锥形凸部与第二导体层之间形成一第一表面处理层。此 举使电子装置外部的静电电荷通过锥形凸部的尖端放电效应而传导至第一导体层，以避免 损害电子装置内的组件。再者，此壳体结构更进一步使电子装置内的组件所产生的漏电流 被第一表面处理层所阻绝，而不会使漏电流传导至电子装置的壳体外而造成使用者触电的 情形。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。附图说明图1是本专利技术一实施例的一种壳体结构的示意图。图2是本专利技术另一实施例的一种壳体结构的示意图。图3是本专利技术又一实施例的一种壳体结构的示意图。符号说明100:壳体结构112:锥形凸部130:第一表面处理层142:凹槽200:壳体结构212:锥形凸部242:凹槽310:导电壳体360:第三表面处理层Sl 第一表面Tl 角度具体实施例方式图1是本专利技术一实施例的一种壳体结构的示意图。请参考图1，壳体结构100适 用于一电子装置(未绘示)。在本实施例中，壳体结构100包括一第一导体层110、一第二 导体层120、一第一表面处理层130以及一绝缘层140。随着产品设计的不同，第一导体层 110与第二导体层120可为一金属层、第一表面处理层130可为一金属氧化物层、且绝缘层 140可为一塑料层。第一导体层110配置在绝缘层140上，而绝缘层140具有一凹槽142， 因而第一导体层110在凹槽142内的部分形成一锥形凸部112。再者，第二导体层120配置于第一导体层110的一侧。第一表面处理层130位于 绝缘层140与第二导体层120之间，而上述锥形凸部112的窄端朝向第二导体层120。换句 话说，第一表面处理层130即位在锥形凸部112与第二导体层120之间。第一表面处理层 130为对为针对第二导体层120进行表面处理后所生成的产物。当第二导体层120为金属 层时，第一表面处理层130为金属氧化物层。壳体结构100通过第一导体层110、绝缘层140、第一表面处理层130与第二导体 层120依序配置，其中第一导体层110并形成锥形凸部112，且此锥形凸部112的窄端朝向 第二导体层120。因此，位在第二导体层120处的静电电荷便能被锥形凸部112的电荷所吸 引产生尖端放电效应而跳跃至第一导体层110，并可将第一导体层110接地而消除静电电 荷，以保护电子装置内的组件。再者，此壳体结构100更进一步地使第一表面处理层130阻 挡由电子装置内的组件所产生的漏电流，因而避免漏电流传导至第二导体层120而造成使 用者触电的情形。由于静电电荷的能量远大于漏电流的能量，因此静电电荷可透过第一导 体层110内的锥形凸部112由第二导体层120穿过第一表面处理层130而传递至第一导体 层110。漏电流将会被第一表面处理层130所阻挡而将无法透过第一导体层110内的锥形 凸部112由第一导体层110传递至第二导体层120。在本实施例中，第二导体层120具有一第一表面Sl与一第二表面S2，其中第一表 面处理层130配置在第一表面Sl上。在此，第一表面处理层130可通过对第二导体层120110第一导体层120第二导体层140绝缘层150第二表面处理层210第一导体层240绝缘层300壳体结构312锥形凸部370第四表面处理层S2 第二表面进行表面处理而形成，其厚度小于7微米(micrometer)。当第二导体层120形成于绝缘层 140上且第一导体层110位于绝缘层140内的凹槽142而形成锥形凸部112时时，第一二导 体层120即浮接(floating)在绝缘层140的一侧，而位于锥形凸部112与第二导体层120 之间的第一表面处理层130便能成为阻挡漏电流传递的结构。另一方面，正由于第一表面 处理层130的厚度较小，因此带有高电压的静电电荷仍能通过此第一表面处理层130而不 受影响地传递至第一导体层110。再者，壳体结构100更包括一第二表面处理层150，其配置在第二导体层120的第 二表面S2上。第二表面处理层150亦是对第二导体层120进行表面处理而成。在此，相互 背对的第一表面处理层130与第二表面处理层150能作为保护第二导体层120的结构，以 避免第二导体层120的表面发生锈蚀的情形。在此值得注意的是，为了让静电电荷在第二导体层120与第一导体层110的锥形 凸部112之间顺利地传递，因此锥形凸部112的侧面与第一导体层110不具锥形凸部112 处的平面之间所夹的角度Tl，其较佳的角度范围为10度至179度。此举让锥形凸部112的 窄端能保持朝向第二导体层120的方向，进而确保第一导体层110与第二导体层120之间 的尖端放电的进行。再者，为了形成容易进行尖端放电的锥形凸部112，因此绝缘层140的 凹槽142形状也以圆锥形或角锥形较佳。图2是本专利技术另一实施例的一种壳体结构的示意图。请参考图2，与上述实施例不 同的是，在壳体结构200中，凹槽242贯通绝缘层240而呈截锥状。此时位于锥形凸部212 处的第一导体层210直接接触位于第二导体层120上的第一表面处理层110，此举亦能达到 与上述实施例相同的效果。图3是本专利技术又一实施例的一种壳体结构的示意图。请参考图3，与上述实施例不 同的是，在本实施例的壳体结构300中，原壳体结构100中的第一导体层110是由一导电壳 体310所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种壳体结构，适用于一电子装置，其特征在于，该壳体结构包括：一第一导体层，具有一锥形凸部；一第二导体层，配置于该第一导体层的一侧，且该锥形凸部的一窄端朝向该第二导体层；一第一表面处理层，位于该锥形凸部与该第二导体层之间；当该第二导体层接受一静电时，该静电将被该窄端的该第一导体层所吸引而跳跃至该第一导电层；以及当该电子装置产生一漏电流且该漏电流传递至该第一导体层时，该漏电流将被该第一表面处理层阻挡而使该第二导体层表面不会有该漏电流。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：纪家铭，祝国政，
申请(专利权)人：仁宝电脑工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]