【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备。
技术介绍
1、半导体结构包括多个存储单元，存储单元需要与外围电路连接以执行存储功能。半导体结构的集成度越高，则其可容纳的存储单元的数目越多，半导体结构的性能也更为优异。然而，目前半导体结构内的空间浪费较多；此外，受制于物理特性的因素，存储单元的体积已达到缩放极限；受制于工艺因素，存储单元的堆叠层数也难以提高。
2、因此，亟需一种新架构的半导体结构，以提高半导体结构的集成度。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备，至少有利于提高半导体结构的集成度。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基底，所述基底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括在第一方向排列的多个存储单元组，所述存储单元组包括在第二方向排列的多层存储单元；多个引线柱，其中，至少两个所述引线柱分别与不同存储单元组中的不同层的所述存储单元相连。
...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述基底表面平行，所述第二方向与所述基底表面垂直；
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述基底表面平行，所述第二方向与所述基底表面垂直；
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，
11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，
12.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述存储单元还包括：位线接触区，所述位线接触区连接所述位线和所述源漏掺杂区。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，至少一个所述引线柱贯穿一个所述存储单元中的所述位线接触区。
14.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
15.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，
18.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，
20.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，所述存储单元包括：在第三方向排列的晶体管和电容；
21.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，至少一个所述引线柱在第二方向延伸并贯穿所述存储单元组中的至少一个存储单元；
22.根据权利要求21所述的半导体结构，其特征在于，所述引线...
【专利技术属性】
技术研发人员：王弘，李晓杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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