一种基于CsBi4Te6的平面忆阻器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于CsBi<subgt;4</subgt;Te<subgt;6</subgt;的平面忆阻器的制备方法，所述平面忆阻器包括电极层和功能层，所述电极层一端为Ag电极、另一端可为Ag电极或In电极，所述中间功能层采用的是CsBi<subgt;4</subgt;Te<subgt;6</subgt;单晶。所述CsBi<subgt;4</subgt;Te<subgt;6</subgt;单晶采用稀土元素辅助化学气相传输方法结合制备而成，所述Ag电极层由导电银胶制备，所述In电极层可采用按压的方法制备。使用Ag和In作为电极制备CsBi<subgt;4</subgt;Te<subgt;6</subgt;两端器件，两端CsBi<subgt;4</subgt;Te<subgt;6</subgt;器件即为平面忆阻器。本发明专利技术器件的忆阻效应源于CsBi<subgt;4</subgt;Te<subgt;6</subgt;和Ag接触，器件结构突破了三明治结构的限制，制备工艺简单、周期短、成本低廉、测试方便、开启电压低、开关比大，可用于展示忆阻效应原理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料科学，尤其涉及一种基于csbi4te6的平面忆阻器的制备方法。

技术介绍

1、忆阻器是一种非线性二端子电部件与电荷和磁性的磁链，它于1971年由leonchua描述和命名。忆阻器除了能让一定的电流安全通过，还可在断电后“记住”器件之前的电阻值。忆阻器尺寸小、能耗低、速度快，如果使用交叉阵列的方式，不仅可以存储数据，还可以进行计算，被视为构建高度互连、大规模并行的万亿级大型突触神经网络最具潜力的器件之一。传统的tio2的忆阻器，两个电极分别是5nm钛和5nm铂，中间功能层是50nm二氧化钛薄膜。其中二氧化钛薄膜包含两层，一层有轻微的氧原子消耗，氧空位充当电荷载流子，当施加电场时，氧空位漂移，改变高阻和低阻之间的边界，从而实现电阻的状态改变；这种忆阻器结构即为三明治结构，包含底电极、功能层和顶电极三层，后期制备的忆阻器大多基于这种结构，这种方式制备工艺复杂、成本高、周期长，且不便于快速制备并展示忆阻器的性能，而平面忆阻器刚好能满足此需求。

2、平面忆阻器即忆阻器的两端电极在一个平面内，器件制备工艺相较于三明治结构忆阻器工艺极大简化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于CsBi4Te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于CsBi4Te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，所述获得的Ag电极是通过导电银胶制得。

3.根据权利要求2所述的一种基于CsBi4Te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，所述的导电银胶需要进行烘烤。

4.根据权利要求3所述的一种基于CsBi4Te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，所述烘烤温度为100℃，时间为10min。

5.根据权利要求1所述的一种基于CsBi4Te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，所述基底为绝缘固...

【技术特征摘要】

1.一种基于csbi4te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于csbi4te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，所述获得的ag电极是通过导电银胶制得。

3.根据权利要求2所述的一种基于csbi4te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，所述的导电银胶需要进行烘烤。

4.根据权利要求3所述的一种基于csbi4te6的平面忆阻器的制备方法，其特征在于，所述烘烤温度为100℃，时间为10min。

5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗威，吴立明，范沥文，王万骞，彭刚，欧阳建明，何理鸣，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：