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本发明提供了一种基于CsBi<subgt;4</subgt;Te<subgt;6</subgt;的平面忆阻器的制备方法，所述平面忆阻器包括电极层和功能层，所述电极层一端为Ag电极、另一端可为Ag电极或In电极，所述中...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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