一种ITO膜层及制备方法、LED芯片及制备方法技术

本发明专利技术提供一种ITO膜层及制备方法、LED芯片及制备方法，该ITO膜层制备方法通过提供一待沉积ITO膜层的初始晶圆，随后采用磁控溅射的方式，在待沉积ITO膜层的初始晶圆上沉积ITO膜层，其中，在沉积ITO膜层的过程中通入氧气，具体的，由于氧化铟锡膜层，即ITO膜层通过磁控溅射的方式，并通入一定的氧气制备，可以提高ITO膜层的致密性，进而提高芯片发光效率，并提高芯片良率，相对于无氧沉积明显提高了芯片的亮度，另外，溅射过程中通氧，不会对ITO膜层的厚度、方阻造成影响，同时，ITO膜层外观及刻蚀线宽均能符合工艺要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种ito膜层及制备方法、led芯片及制备方法。

技术介绍

1、锡掺杂氧化铟薄膜具有较高的可见光透过率和电导率，在作为器件的可见光透过窗口的同时又可作为导电电极，极大的提高了器件的光利用率，降低了功耗。其中，氧化铟锡是由90％in2o3和10％sno2混合而成，主要用于显示器、触摸屏、发光二极管(led)、太阳能电池等制作光学薄膜。

2、氧化铟锡用于led芯片制作结构中的电流扩展层，简称ito膜层，其制备方法通常是物理气相沉积或者一些溅射技术方法制备，为了获得更高的可见光透过率和电导率，将ito膜层的退火处理引入其制备工艺中。退火处理不仅可以大幅度的降低薄膜的电阻率，还可以提高整个ito膜层制备工艺的稳定性和再生性。

3、但经过退火处理后得到ito膜层易出现膜层稀疏，不够致密的现象，会导致芯片亮度下降的问题，进而影响芯片良率。

技术实现思路

1、基于此，本专利技术的目的是提供一种ito膜层及制备方法、led芯片及制备方法，旨在解决现有技术中，经过退火处理后本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ITO膜层制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的ITO膜层制备方法，其特征在于，所述采用磁控溅射的方式，在待沉积ITO膜层的初始晶圆上沉积ITO膜层，其中，在沉积ITO膜层的过程中通入氧气的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的ITO膜层制备方法，其特征在于，所述将待沉积ITO膜层的初始晶圆放入PVD设备中，并打开真空泵，将PVD设备内的压力调至预设值的步骤中，将PVD设备内的压力调至预设值2×10-6mbar～4×10-6mbar。

4.根据权利要求2所述的ITO膜层制备方法，其特征在于，所述向PVD设备中通入氩气，以清...

【技术特征摘要】

1.一种ito膜层制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的ito膜层制备方法，其特征在于，所述采用磁控溅射的方式，在待沉积ito膜层的初始晶圆上沉积ito膜层，其中，在沉积ito膜层的过程中通入氧气的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的ito膜层制备方法，其特征在于，所述将待沉积ito膜层的初始晶圆放入pvd设备中，并打开真空泵，将pvd设备内的压力调至预设值的步骤中，将pvd设备内的压力调至预设值2×10-6mbar～4×10-6mbar。

4.根据权利要求2所述的ito膜层制备方法，其特征在于，所述向pvd设备中通入氩气，以清洗靶材表面的步骤中，气路通入的氩气流量为30sccm～80sccm，作用于靶材的功率为140w～600w。

5.根据权利要求2所述的it...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卡，曹丹丹，康龙，胡瑶，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：