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本发明提供一种ITO膜层及制备方法、LED芯片及制备方法，该ITO膜层制备方法通过提供一待沉积ITO膜层的初始晶圆，随后采用磁控溅射的方式，在待沉积ITO膜层的初始晶圆上沉积ITO膜层，其中，在沉积ITO膜层的过程中通入氧气，具体的，由于氧...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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