【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体封装和制造该半导体封装的方法。
技术介绍
1、安装在电子设备上的半导体器件需要小型化，以及具有高性能和高容量。为了实现这一点，正在开发一种用于使用贯通电极(例如，硅通孔)将沿竖直方向堆叠的半导体芯片互连的半导体封装。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一个方面在于提供一种简化工艺并提高良品率的半导体封装和用于制造该半导体封装的方法。
2、根据本专利技术构思的一个方面，一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一焊盘；第二半导体芯片，在第一半导体芯片下方，第二半导体芯片包括具有彼此相对的前表面和后表面的衬底、在前表面上并与第一焊盘接触的第二焊盘、以及电连接到第二焊盘并包括从衬底的后表面突出的突出部的贯通电极；通孔结构，设置在第二半导体芯片周围并与第一焊盘接触；第一介电层，沿衬底的后表面和贯通电极的突出部的侧表面延伸；第二介电层，在第一介电层下方并在(例如，填充)贯通电极的突出部之间以及通孔结构之间的空间中；以及凸块结构，在第二介电层下方并电连接到贯通电
【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一介电层具有沿所述贯通电极的突出部的侧表面在第一方向上延伸的第一部分、以及从所述第一部分沿所述衬底的后表面在第二方向上延伸的第二部分。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第二介电层与所述第一介电层的第一部分和第二部分接触。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一介电层沿所述第一半导体芯片的下表面和所述第二半导体芯片的侧表面延伸，并且包括暴露所述第一焊盘中的至少一部分的开口。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述通...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一介电层具有沿所述贯通电极的突出部的侧表面在第一方向上延伸的第一部分、以及从所述第一部分沿所述衬底的后表面在第二方向上延伸的第二部分。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第二介电层与所述第一介电层的第一部分和第二部分接触。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一介电层沿所述第一半导体芯片的下表面和所述第二半导体芯片的侧表面延伸，并且包括暴露所述第一焊盘中的至少一部分的开口。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述通孔结构中的每一个包括位于所述开口中的种子层以及从所述种子层向下延伸的镀覆层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述镀覆层的侧表面与所述第二介电层接触。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一介电层包括氧化硅sio、氮化硅sin和碳氮化硅sicn中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二介电层包括绝缘树脂。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述贯通电极在与所述衬底的后表面平行的方向上具有比所述通孔结构的宽度窄的宽度。
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述贯通电极的宽度在约1μm至约10μm的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金柱贤，金一焕，徐善京，赵汊济，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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