【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信领域，尤其涉及一种dvs测试方法、dvs测试平台、电子设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在对芯片进行动态电压测试(dvs，dynamic voltage stress)测试的过程中，高电压(stress)测试可能因电压变化斜率过高，造成外部测试环境不稳定，导致检测结果不准确而造成良率损失。同时，由于高电压测试本身可能对芯片带来不同程度的损伤，导致芯片出现可靠性方面的潜在风险。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种dvs测试方法、dvs测试平台、电子设备和计算机可读存储介质。
2、第一方面，本专利技术提供了一种dvs测试方法，包括：
3、根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值，其中，所述最高电圧值高于所述额定电压值；
4、确定升压步长；
5、根据所述升压步长，逐步调高向所述被测芯片提供的测试电压，直至向所述被测芯片提供的测试电压达到所述最高电压值为止；对所述被测芯片执行至少一个dvs测试项。
6、可选地，所述根据所述升压步长，逐步调高向所述被测芯片提供的测试电压的步骤包括：
7、根据所述升压步长，间隔地调高向所述被测芯片提供的测试电压。
8、可选地，每次调高所述测试电压后的时间间隔依次递减。
9、在一些实施例中，所述dvs测试方法还包括：
10、确定降压步长；
11、在所述对所述被测芯片执行至少一个dvs测试项之后，所
12、根据所述降压步长，逐步调低向所述被测芯片提供的测试电压，直至向所述被测芯片提供的电压从所述最高电压值降至0为止。
13、可选地，所述根据所述降压步长，逐步调低向所述被测芯片提供的测试电压的步骤包括：
14、根据所述降压步长，间隔地调低向所述被测芯片提供的测试电压。
15、可选地，每次调低所述测试电压后的时间间隔依次递减。
16、在一些实施例中，在所述根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值之前，还包括：
17、检测所述被测芯片是否存储有测试已完成的标记；
18、若有，则不执行dvs测试；
19、若无，则执行dvs测试。
20、进一步地，所述dvs测试方法还包括：
21、在所有所述dvs测试项已执行完成的芯片上，以非易失的方式存储测试已完成的标记。
22、第二方面，本专利技术提供了一种dvs测试平台，包括：
23、测试电压确定模块，用于根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值，其中，所述最高电圧值高于所述额定电压值；
24、电压调节模块，用于确定升压步长，根据所述升压步长，逐步调高向所述被测芯片提供的测试电压，直至向所述被测芯片提供的测试电压达到所述最高电压值为止；
25、测试执行模块，用于对所述被测芯片执行至少一个dvs测试项。
26、在一些实施例中，所述电压调节模块，还用于确定降压步长；根据所述降压步长，逐步调低向所述被测芯片提供的测试电压，直至向所述被测芯片提供的电压从所述最高电压值降至0为止。
27、在一些实施例中，所述dvs测试平台还包括：
28、测试标记检测模块，用于在所述根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值之前，检测所述被测芯片是否存储有测试已完成的标记；若有，则不执行dvs测试；若无，则执行dvs测试。
29、在一些实施例中，所述dvs测试平台还包括：
30、测试标记记录模块，还用于在所有所述dvs测试项已执行完成的芯片上，以非易失的方式存储测试已完成的标记。
31、第三方面，本专利技术提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
32、一个或多个处理器；
33、存储器，其上存储有一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现根据第一方面中任意一项所述的dvs测试方法；
34、一个或多个i/o接口，连接在所述处理器与存储器之间，配置为实现所述处理器与存储器的信息交互。
35、第四方面，本专利技术提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据第一方面中任意一项所述的dvs测试方法。
36、本专利技术提出的dvs测试方法，在上下电过程中采用分步式上电的方式取代一步式上电，减小了因瞬间电压变化斜率过高对外部测试环境造成的影响，从而减少了外部测试环境不稳定所导致的检测结果不准确的情况，提高了芯片良率，同时还减少了瞬间电压变化对被测芯片的损伤。
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1.一种动态电压测试DVS测试方法，包括：
2.根据权利要求1所述的DVS测试方法，其中，所述根据所述升压步长，逐步调高向所述被测芯片提供的测试电压的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的DVS测试方法，其中，每次调高所述测试电压后的时间间隔依次递减。
4.根据权利要求1所述的DVS测试方法，其中，所述DVS测试方法还包括：
5.根据权利要求4所述的DVS测试方法，其中，所述根据所述降压步长，逐步调低向所述被测芯片提供的测试电压的步骤包括：
6.根据权利要求4所述的DVS测试方法，其中，每次调低所述测试电压后的时间间隔依次递减。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的DVS测试方法，其中，在所述根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值之前，还包括：
8.根据权利要求7所述的DVS测试方法，其中，所述DVS测试方法还包括：
9.一种DVS测试平台，包括：
10.根据权利要求9所述的DVS测试平台，其中，所述电压调节模块，还用于确定降压步长；根据所述降压步长，
11.根据权利要求9或10所述的DVS测试平台，其中，所述DVS测试平台还包括：
12.根据权利要求11所述的DVS测试平台，其中，所述DVS测试平台还包括：
13.一种电子设备，所述电子设备包括：
14.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求1至8中任意一项所述的DVS测试方法。
...【技术特征摘要】
1.一种动态电压测试dvs测试方法，包括：
2.根据权利要求1所述的dvs测试方法，其中，所述根据所述升压步长，逐步调高向所述被测芯片提供的测试电压的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的dvs测试方法，其中，每次调高所述测试电压后的时间间隔依次递减。
4.根据权利要求1所述的dvs测试方法，其中，所述dvs测试方法还包括：
5.根据权利要求4所述的dvs测试方法，其中，所述根据所述降压步长，逐步调低向所述被测芯片提供的测试电压的步骤包括：
6.根据权利要求4所述的dvs测试方法，其中，每次调低所述测试电压后的时间间隔依次递减。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的dvs测试方法，其中，在所述根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值之前，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐伟瀚，孙拓北，李光耀，
申请(专利权)人：深圳市中兴微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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