【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，特别是涉及一种芯片液冷散热结构及其制作方法、电子设备。
技术介绍
1、芯片的发展遵循摩尔定律，功率密度逐渐增高，部分行业如氮化镓功率器件已经突破1000w/cm2，传统风冷以及常规液冷都已经无法满足芯片的散热要求。
2、目前，常规散热方式中风冷和常规液冷都是通过常规尺度的散热器与芯片结合带走热量，随着热密度的提升，界面热阻占比越来越大，且对流换热能力趋于极限，存在散热能力不足的问题。在相关技术中，氮化镓器件领域有采用芯片与散热器一体设计，但该一体化设计可靠性低，难以维护，一旦散热通道堵塞或出现其他可靠性问题，整个芯片都不能再使用。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本专利技术实施例提供了一种芯片液冷散热结构及其制作方法、电子设备，能够提高散热能力的同时实现芯片微通道的可拆卸维护，提高了产品的可靠性和复用性，降低成本，最终提升产品竞争力。
3、第一方面，本专利技术实施例提供了一种芯片液冷散热结构，包括：
4、裸芯片，所述裸芯片设置有芯片本体，所述芯片本体表面蚀刻有多条微通道；
5、盖板，用于封盖所述微通道，所述盖板与所述裸芯片可拆卸连接，所述盖板设置有进水口和出水口，所述微通道分别与所述进水口和所述出水口连通。
6、第二方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括有如上第一方面所述的芯片液冷散热结构。
7、第
8、在裸芯片内的芯片本体表面蚀刻多条微通道；
9、在所述裸芯片上安装盖板，以封盖所述微通道，其中，所述盖板与所述裸芯片可拆卸连接，所述盖板设置有进水口和出水口，所述微通道分别与所述进水口和所述出水口连通。
10、本专利技术实施例包括：芯片液冷散热结构及其制作方法、电子设备，芯片液冷散热结构包括裸芯片和盖板，其中，裸芯片设置有芯片本体，芯片本体表面蚀刻有多条微通道；盖板用于封盖微通道，盖板与裸芯片可拆卸连接，盖板设置有进水口和出水口，微通道分别与进水口和出水口连通。基于此，本专利技术通过在芯片本体表面制作微通道，并通过盖板与裸芯片的分离式设计，保证超高散热能力的同时实现芯片微通道的拆卸维护，提高了产品的可靠性和复用性，降低成本，最终提升产品竞争力。
11、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片液冷散热结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述盖板朝向所述微通道的一侧设置有引流结构，所述引流结构包括进液歧管和出液歧管，所述进液歧管连接所述进水口，所述出液歧管连接所述出水口。
3.根据权利要求1所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述裸芯片还包括有芯片保护环，所述芯片本体位于所述芯片保护环内部。
4.根据权利要求3所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述盖板与所述芯片保护环之间设置有橡胶垫。
5.根据权利要求4所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述微通道与所述芯片保护环之间的间距小于1mm。
6.根据权利要求1所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述盖板与所述裸芯片通过螺钉连接。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述微通道的宽度为10um至100um。
8.一种电子设备，其特征在于，包括有如权利要求1至7任意一项所述的芯片液冷散热结构。
9.一种芯片液冷散热结构制作方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述芯片本体的顶部为单晶硅；
11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述裸芯片还包括有芯片保护环，所述芯片本体位于所述芯片保护环内部；
...【技术特征摘要】
1.一种芯片液冷散热结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述盖板朝向所述微通道的一侧设置有引流结构，所述引流结构包括进液歧管和出液歧管，所述进液歧管连接所述进水口，所述出液歧管连接所述出水口。
3.根据权利要求1所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述裸芯片还包括有芯片保护环，所述芯片本体位于所述芯片保护环内部。
4.根据权利要求3所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述盖板与所述芯片保护环之间设置有橡胶垫。
5.根据权利要求4所述的芯片液冷散热结构，其特征在于，所述微通道与所述芯片保护环之间的间距小于1mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶成，刘帆，周晓东，
申请(专利权)人：中兴智能科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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