【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于种子激光器的光学隔离器、一种用于euv源的种子隔离器模块、以及一种包括种子激光器和种子隔离器模块的euv辐射源。本专利技术还涉及一种包括euv辐射源的光刻设备和一种操作光学隔离器的方法。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加在衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。相较于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有介于4nm至20nm的范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
3、可以通过利用来自种子激光器的辐射照射锡液滴以电离锡原子从而产生在所有方向上辐射euv辐射的强等离子体，来产生euv辐射。虽然锡液滴吸收来自所述种子激光器的大量辐射，但辐射也被往回朝向所述种子激光器反射。为...
【技术保护点】
1.一种用于种子激光器的光学隔离器，包括：
2.根据权利要求1所述的光学隔离器，其中，所述主动热传递元件包括珀尔帖元件。
3.根据权利要求1或2所述的光学隔离器，其中，所述光学隔离器包括两个冷却系统，一个冷却系统被布置在第一晶体表面处且另一冷却系统被布置在第二晶体表面处。
4.根据权利要求3所述的光学隔离器，其中，所述第二晶体表面与所述第一晶体表面相反。
5.根据权利要求3或4所述的光学隔离器，其中，所述第一晶体表面和所述第二晶体表面彼此平行。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学隔离器，其中，所述热传递...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于种子激光器的光学隔离器，包括：
2.根据权利要求1所述的光学隔离器，其中，所述主动热传递元件包括珀尔帖元件。
3.根据权利要求1或2所述的光学隔离器，其中，所述光学隔离器包括两个冷却系统，一个冷却系统被布置在第一晶体表面处且另一冷却系统被布置在第二晶体表面处。
4.根据权利要求3所述的光学隔离器，其中，所述第二晶体表面与所述第一晶体表面相反。
5.根据权利要求3或4所述的光学隔离器，其中，所述第一晶体表面和所述第二晶体表面彼此平行。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学隔离器，其中，所述热传递元件包括被布置在所述主动热传递元件与所述冷却元件之间的热接触层，其中所述热接触层被配置成减小所述主动热传递元件与所述冷却元件之间的热阻。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学隔离器，其中，所述热传递元件包括被布置在所述声光调制器晶体与所述主动热传递元件之间的热接触层，其中，所述热接触层被配置成减小所述声光调制器晶体与所述主动热传递元件之间的热阻。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光学隔离器，其中，所述热传递组件包括被布置在...
【专利技术属性】
技术研发人员：卡瑞尔·约普·波斯亚特，T·恰尔诺塔，H·M·米尔德，R·H·C·迪里森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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