一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备，涉及新能源技术领域。所述方法包括：获取目标硅片；目标硅片包括具有绒面结构的第一表面；对第一表面进行激光刻槽处理，得到刻槽表面；对刻槽表面进行硼扩散处理，得到硼扩后的目标硅片；硼扩后的目标硅片包括覆盖在刻槽表面的发射极层；对硼扩后的目标硅片进行退火处理，得到退火后的目标硅片；对退火后的目标硅片进行二次硼扩散处理，得到二次硼扩后的目标硅片；基于二次硼扩后的目标硅片，制备目标太阳能电池。本发明专利技术实施例可以降低激光刻槽处理对硅片表面绒面结构的破坏程度，降低二次硼扩后的目标硅片的表面反射率，提高目标太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新能源，特别是涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备。

技术介绍

1、选择性发射极（selective emitter，se）太阳能电池为在电极与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间进行轻掺杂的电池。选择性发射极太阳能电池的掺杂方式可以降低扩散层的复合，减少电极与硅片之间的接触电阻，提高电池的光电转换效率。

2、目前，制备选择性发射极太阳能电池的方法主要为在一次轻扩的基础上进行激光刻槽，使得发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区，最后对激光刻槽处理的硅片进行氧化形成pn结。

3、但是，相关技术中在进行激光刻槽过程中会破坏硅片表面的绒面结构，导致硅片的反射率增大，进而导致太阳能电池的光电转换效率降低。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备，以解决相关技术中在制备选择性发射极太阳能电池的过程中存在硅片反射率增加、太阳能电池光电转换效率降低的问题。

2、为了解决上述问题，本专利技术的技术方案是这样实现的：

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述刻槽表面进行硼扩散处理，得到硼扩后的目标硅片，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光刻槽处理的刻槽宽度为70μm至90μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述硼扩后的目标硅片进行退火处理，得到退火后的目标硅片，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二次硼扩散处理的第三温度为950℃至1100℃，二次硼扩散处理的扩散时长为59min至61min，二次硼扩散处理的氧气通入流量为15...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述刻槽表面进行硼扩散处理，得到硼扩后的目标硅片，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光刻槽处理的刻槽宽度为70μm至90μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述硼扩后的目标硅片进行退火处理，得到退火后的目标硅片，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二次硼扩散处理的第三温度为950℃至1100℃，二次硼扩散处理的扩散时长为59min至61min，二次硼扩散处理的氧气通入流量为1500sccm至2500sccm。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宸，闫用用，吴新荣，蔡伦，刘向东，洪成浩，申品文，蒋兆鹏，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：